[发明专利]抗辐照双极器件

权利要求书

1.抗辐照双极器件，包括半导体区、设置于半导体区上方的绝缘介质区和电极，所述半导体区包括设置于衬底(101)内的基区(103)、发射区(104)、P+欧姆接触区(106)，发射区(104)和P+欧姆接触区(106)之间的区域为间隔区；

其特征在于，在绝缘介质区和半导体区上表面之间，还设置有厚度为20～80nm的抗辐照加固层，所述抗辐照加固层的材质包括二氧化硅；

在抗辐照加固层的上表面和绝缘介质区上表面之间，设置有平行于超薄二氧化硅层(105)的导电场板(107)，并且导电场板107在半导体区上表面的投影与发射区(104)有重叠部分，导电场板(107)在半导体区上表面的投影与间隔区有重叠部分，导电场板(107)与发射区(104)形成导电连接。

2.如权利要求1所述的抗辐照双极器件，其特征在于，导电场板(107)在半导体区上表面的投影覆盖发射区和间隔区的分界线以及P+欧姆接触区(106)和间隔区的分界线。

3.如权利要求1或2所述的抗辐照双极器件，其特征在于，所述抗辐照加固层包括自下向上重叠设置的第一二氧化硅层、正电荷抑制层和第二二氧化硅层，所述第一二氧化硅层的厚度为2～20nm，正电荷抑制层的厚度为第二二氧化硅层厚度为15～50nm。

4.如权利要求3所述的抗辐照双极器件，其特征在于，所述P+欧姆接触区(106)在半导体区上表面的投影为围绕发射区(104)在半导体区上表面的投影区域的半封闭环。