[发明专利]光电器件在审

专利信息
申请号: 202010241143.7 申请日: 2020-03-31
公开(公告)号: CN113467108A 公开(公告)日: 2021-10-01
发明(设计)人: 长瀬健司;田家裕;宫田晋吾 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: G02F1/035 分类号: G02F1/035;G02F1/03
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦;黄浩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 光电 器件
【权利要求书】:

1.一种光电器件,其特征在于,

具备:

基板;

光波导,由在所述基板上以脊状形成的光电材料膜构成;

缓冲层,覆盖所述光波导而设置;以及

上部电极,经由所述缓冲层设置于所述光波导上,

所述缓冲层在所述光波导上的所述上部电极侧具有凹陷。

2.一种光电器件,其特征在于,

具备:

基板;

互相相邻的第1和第2光波导,由在所述基板上以脊状形成的光电材料膜构成;

缓冲层,覆盖所述第1和第2光波导并且埋入所述第1和第2光波导之间;以及

第1和第2电极,在所述缓冲层的上方与所述第1和第2光波导相对设置,

所述缓冲层在所述第1和第2光波导上具有凹陷。

3.一种光电器件,其特征在于,

具备:

基板;

互相相邻的第1和第2光波导,由在所述基板上以脊状形成的光电材料膜构成;

缓冲层,覆盖所述第1和第2光波导并且埋入所述第1和第2光波导之间;以及

第1和第2电极,在所述缓冲层的上方与所述第1和第2光波导相对设置,

从所述基板表面到所述光波导上的缓冲层的最上部的距离,小于从所述基板表面到未形成所述光波导的部分上的缓冲层的最上部的距离。

4.如权利要求2或3所述的光电器件,其特征在于,

在所述第1和第2光波导与所述第1和第2电极之间设置的缓冲层,具有在所述第1和第2光波导处朝下方突出的形状。

5.如权利要求2或3所述的光电器件,其特征在于,

在所述第1和第2光波导与所述第1和第2电极之间设置的缓冲层,具有在所述第1和第2光波导处朝下弯曲的形状。

6.如权利要求1~5所述的光电器件,其特征在于,

所述缓冲层的凹陷量为以上。

7.如权利要求1~5所述的光电器件,其特征在于,

所述缓冲层的凹陷量为

8.如权利要求2~5所述的光电器件,其特征在于,

所述第1和第2光波导是马赫-曾德尔光波导。

9.如权利要求2~5所述的光电器件,其特征在于,

所述基板为单晶基板,

所述光电材料膜为铌酸锂膜。

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