[发明专利]一种应用电浆切粒及雷射设备完成薄晶圆的晶粒切割的方法在审
| 申请号： | 202010241199.2 | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN111446155A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;李景贤;陈政勋 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/3065;H01L21/302;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 王依 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用电 浆切粒 雷射 设备 完成 薄晶圆 晶粒 切割 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种应用电浆切粒及雷射设备完成薄晶圆的晶粒切割的方法，其特征在于，包括以下步骤：
一、边缘缓坡状或者阶梯状的超薄晶圆(1)生产工序已完成正面金属沉积工序和背面金属沉积工序；
二、将超薄晶圆(1)的正面粘置于晶粒切割框架(5)上；
三、在超薄晶圆(1)的上端涂布水溶性或有机可溶性的透明的聚合物(4)；
四、以雷射工艺雷射透明的聚合物(4)，切穿聚合物(4)及钛/铝铜金属层，形成切割道图案；
五、对超薄晶圆(1)进行电浆工艺切割晶粒；
六、使用DI水/溶剂清洗去除聚合物及雷射工艺残留的金属杂质；
七、晶粒完成切割于UV型膜框架。
2.根据权利要求1所述的一种应用电浆切粒及雷射设备完成薄晶圆的晶粒切割的方法，其特征在于，所述晶圆的中间位置为超薄晶圆(1)。
3.根据权利要求2所述的一种应用电浆切粒及雷射设备完成薄晶圆的晶粒切割的方法，其特征在于，所述超薄晶圆(1)的外侧端设置有阶梯状保护环(2)或者缓坡状保护环(3)。
4.根据权利要求1所述的一种应用电浆切粒及雷射设备完成薄晶圆的晶粒切割的方法，其特征在于，所述切割方法为先应用雷射设备完成薄晶圆部分切割，然后电浆完成晶粒切割。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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