[发明专利]硅基缓冲层及其制备方法

权利要求书

1.一种硅基缓冲层的制备方法，其特征在于，包括：

获得原子级别洁净的的Si片；

依次打开As束流源、Te束流源，对所述Si片的正面进行钝化；

交替打开Zn束流源和Te束流源，在钝化后的Si片的正面外延ZnTe缓冲层；

交替打开Zn束流源、Te束流源、CdTe束流源，在所述ZnTe缓冲层上外延ZnTe/CdTe超晶格缓冲层；

打开Te束流源，并对所述ZnTe/CdTe超晶格缓冲层进行高温退火热处理。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获得原子级别洁净的的Si片，包括：

使用RCA湿化学清洗法清洗待处理Si片；

对清洗后的Si片进行去水汽、去杂质；

对去水汽、去杂质后的Si片进行高温脱氧清洗、氢钝化清洗、分子氢源清洗、离子氢源清洗、或等离子清洗。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对清理后的Si片进行去水汽、去杂质，包括：

将清理后的Si片放入分子束外延系统的进样室内进行加热去水汽；

将进行加热去水汽后的Si片放入分子束外延系统的缓冲室内进行高温去杂质。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法，还包括：

在依次打开As束流源、Te束流源之前，预热Zn泄流源、Te泄流源、CdTe泄流源和As裂解源，利用电离规方法依次测试所述Zn泄流源、所述Te泄流源、所述CdTe泄流源以及所述As裂解源的等效束流。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述依次打开As束流源、Te束流源，对所述Si片的正面进行钝化，包括：

对所述Si片高温脱氧后，进行降温处理，并在降温处理过程中，依次打开As束流源、Te束流源，对所述Si片的正面进行钝化。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述交替打开Zn束流源和Te束流源，在钝化后的Si片的正面外延ZnTe缓冲层，包括：

在第一预设温度下，交替打开Zn束流源和Te束流源，所述Zn束流源的喷射时长大于等于0s且小于等于60s，所述Te束流源的喷射时长大于等于0s且小于等于60s，所述Zn束流源与所述Te束流源之间的时间间隔大于0s且小于等于20s；

所述第一预设温度大于等于200℃且小于等于360℃。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述Zn束流源和所述Te束流源交替喷射一次为一个周期，所述ZnTe缓冲层的外延周期个数大于0且小于等于240。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述交替打开Zn束流源、Te束流源、CdTe束流源，在所述ZnTe缓冲层上外延ZnTe/CdTe超晶格缓冲层，包括：

在第二预设温度下，交替打开Zn束流源、Te束流源、CdTe束流源，所述Zn束流源的喷射时长大于等于0s且小于等于60s，所述Te束流源的喷射时长大于等于0s且小于等于60s，所述CdTe束流源的喷射时长大于等于0s且小于等于60s，所述Zn束流源与所述Te束流源之间的时间间隔大于等于5s且小于等于20s，所述Te束流源与所述CdTe束流源之间的时间间隔大于等于5s且小于等于20s；

所述第二预设温度大于等于200℃且小于等于360℃。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，Zn束流源、Te束流源、CdTe束流源交替喷射一次为一个周期，所述ZnTe/CdTe超晶格缓冲层的外延周期个数大于等于0且小于等于240。

10.一种硅基缓冲层，其特征在于，所述硅基缓冲层采用权利要求1-9中任一项所述的硅基缓冲层的制备方法制备而成。