[发明专利]优化发射器阵列的布局在审

专利信息
申请号: 202010241618.2 申请日: 2020-03-31
公开(公告)号: CN111799652A 公开(公告)日: 2020-10-20
发明(设计)人: A.V.巴夫;B.克斯勒;M.G.彼得斯 申请(专利权)人: 朗美通经营有限责任公司
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/42
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 贺紫秋
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 优化 发射器 阵列 布局
【说明书】:

紧密间隔发射器阵列可以包括包含第一多个结构的第一发射器和与第一发射器相邻的包含第二多个结构的第二发射器。第一发射器和第二发射器可以被配置在紧密间隔发射器阵列中,使得第一多个结构和第二多个结构之间的不同类型结构不重叠,同时保持第一发射器和第二发射器之间的紧密间隔。

技术领域

本公开涉及发射器阵列,更具体地,涉及优化发射器阵列的布局。

背景技术

发射器可以包括垂直发射装置,例如垂直腔表面发射激光器(VCSEL)。VCSEL是一种激光器,其中光束在垂直于VCSEL表面的方向上发射(例如,从VCSEL的表面垂直发射)。多个发射器可以成发射器阵列,具有共用的基板。

发明内容

根据一些实施方式,紧密间隔发射器阵列可以包括第一发射器,其包括第一多个结构;以及与第一发射器相邻的第二发射器,其包括第二多个结构,其中第一发射器和第二发射器被配置在紧密间隔发射器阵列中,使得第一多个结构和第二多个结构之间的不同类型结构不重叠,同时保持第一发射器和第二发射器之间的紧密间隔。

根据一些实施方式,一种方法可以包括:由装置生成包括多个发射器的紧密间隔发射器阵列的布局;由所述装置识别包括在所述多个发射器中的第一发射器中的第一多个结构和包括在所述多个发射器中的第二发射器中的第二多个结构之间的不同类型结构的重叠;和通过该装置调整紧密间隔发射器阵列的布局,使得第一多个结构和第二多个结构之间的不同类型结构不重叠,同时保持多个发射器之间的紧密间隔。

根据一些实施方式,紧密间隔发射器阵列可以包括:第一多个发射器,其每一个包括相应的第一多个结构,其中第一多个发射器被配置在紧密间隔发射器阵列中,使得每个相应的第一多个结构之间的不同类型结构不重叠,同时保持第一多个发射器之间的紧密间隔;和第二多个发射器,其每一个包括相应的第二多个结构,其中第二多个发射器被配置在紧密间隔发射器阵列中,使得每个相应的第二多个结构之间的不同类型结构不重叠,同时保持第二多个发射器之间的紧密间隔。

附图说明

图1A和1B分别是显示了示例性垂直发射装置的俯视图和示例性垂直发射装置的截面图。

图2A和2B是本文描述的一个或多个示例实施方式的示意图。

图3是装置的示例部件的图。

图4-7是用于优化紧密间隔发射器阵列的布局的示例过程的流程图。

具体实施方式

示例性实施方式的以下详细描述参照了附随的附图。相同附图标记在不同附图中可以表示相同或相似的元件。

发射器阵列用在各种应用中。例如,发射器阵列用在三维传感应用中,例如结构光应用、飞行时间应用、光检测与测距(LIDAR)应用、和/或诸如此类。发射器阵列包括多个发射器,例如形成在芯片上的多个垂直光发射装置,该芯片又形成在晶片上。通常,发射器包括凸台结构,其包括(例如以环或部分环的形状)围绕发射器的孔的欧姆金属层和经过保护层向下到达欧姆金属层的一组过孔(例如也是与欧姆金属层的形状匹配的环或部分环的形状)。此外,发射器阵列包括在发射器的凸台结构(和在形成凸台结构的一些情况下)与发射器阵列的一个或多个其他发射器之间的沟槽。例如,沟槽通常围绕欧姆金属层和/或发射器的相应一组过孔形成。发射器和/或发射器阵列的该构造(例如沟槽围绕欧姆金属层和相应一组过孔形成)通常造成窄制造公差和/或通常需要用于发射器阵列的每一个发射器的特定量的芯片空间。发射器阵列的发射器间隔开得越近,则总体芯片尺寸可减小得越多。小芯片尺寸允许每晶片有更多芯片,且更小的芯片可被置于更小的封装件中,由此降低芯片和封装结构的总体成本。

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