[发明专利]氮化铝半导体薄膜的制作方法及其结构有效
| 申请号： | 202010241854.4 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN111341645B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 林辉;刘锐森;蓝文新;刘召忠;杨小利 | 申请（专利权）人： | 江西力特康光学有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00;H01L33/12;C23C14/06;C23C14/34;C23C14/58;C23C16/20;C23C16/34;C23C16/44 |
| 代理公司： | 赣州智府晟泽知识产权代理事务所(普通合伙) 36128 | 代理人： | 杨金根 |
| 地址： | 341700 江西省赣州市龙南市龙南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体 薄膜 制作方法 及其 结构 | ||
1.一种氮化铝半导体薄膜的制作方法，其特征在于，包括：
提供蓝宝石衬底；
将所述蓝宝石衬底置于有机金属化学气相沉积反应腔内；
向所述有机金属化学气相沉积反应腔内通入含铝前驱物，在所述蓝宝石衬底的一侧形成铝金属层；
向所述有机金属化学气相沉积反应腔内通入氨前驱物，对所述铝金属层进行氮化处理，生成第一氮化铝薄膜；
将具有所述第一氮化铝薄膜的蓝宝石衬底置入射频溅镀沉积反应腔内，在所述第一氮化铝薄膜远离所述蓝宝石衬底的一侧生成第二氮化铝薄膜；
对具有所述第一氮化铝薄膜及第二氮化铝薄膜的蓝宝石衬底进行反应腔外的高温退火处理，具体为：将具有所述第一氮化铝薄膜及第二氮化铝薄膜的蓝宝石衬底置于退火炉内，设置所述退火炉的温度大于等于1500℃小于等于1800℃，并向所述退火炉内通入氮气，退火1-3小时；
将进行退火处理后具有所述第一氮化铝薄膜及第二氮化铝薄膜的蓝宝石衬底置入所述有机金属化学气相沉积反应腔内；
向所述有机金属化学气相沉积反应腔内同时通入所述含铝前驱物和所述氨前驱物；在所述第二氮化铝薄膜远离所述蓝宝石衬底的一侧生成第三氮化铝薄膜。
2.根据权利要求1所述的氮化铝半导体薄膜的制作方法，其特征在于，在向所述有机金属化学气相沉积反应腔内通入含铝前驱物之前，还包括：向所述反应腔内通入氢气，清洁所述蓝宝石衬底的表面。
3.根据权利要求1所述的氮化铝半导体薄膜的制作方法，其特征在于，
所述含铝前驱物包括三甲基铝、三乙基铝中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的氮化铝半导体薄膜的制作方法，其特征在于，
所述氨前驱物包括氨气、二甲基肼中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的氮化铝半导体薄膜的制作方法，其特征在于，在所述第一氮化铝薄膜远离所述蓝宝石衬底的一侧生成第二氮化铝薄膜，具体为：
以多晶氮化铝粉末做靶材，向所述射频溅镀沉积反应腔内通入预定比例的氩气和氮气，在所述第一氮化铝薄膜远离所述蓝宝石衬底的一侧形成所述第二氮化铝薄膜；所述预定比例的取值范围为1:2-1:4。
6.根据权利要求1所述的氮化铝半导体薄膜的制作方法，其特征在于，所述对具有所述第一氮化铝薄膜及第二氮化铝薄膜的蓝宝石衬底进行反应腔外的高温退火处理之前，还包括：
将具有所述第一氮化铝薄膜及第二氮化铝薄膜的蓝宝石衬底置于承载底座上，使所述第二氮化铝薄膜位于所述蓝宝石衬底与所述承载底座之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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