[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202010241909.1 | 申请日: | 2020-03-31 |
公开(公告)号: | CN111834402A | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 李荣熙;李炫植;蒋胜旭;郑炳成;表相佑;黄载熏;尹智焕 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 赵嫦;王珍仙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
第一基底构件,所述第一基底构件具有第一发光区、第二发光区以及在所述第一发光区和所述第二发光区之间的非发光区;
第一阳极电极,所述第一阳极电极在所述第一基底构件上并且位于所述第一发光区中;
第二阳极电极,所述第二阳极电极在所述第一基底构件上并且位于所述第二发光区中;
多个发光层,所述多个发光层在所述第一阳极电极和所述第二阳极电极上;
阴极电极,所述阴极电极在所述多个发光层上;
第二基底构件,所述第二基底构件在所述阴极电极上,所述第二基底构件具有面向所述第一基底构件的第一表面;
第一滤色器,所述第一滤色器在所述第二基底构件的所述第一表面上并且与所述第一发光区重叠;
第二滤色器,所述第二滤色器在所述第二基底构件的所述第一表面上并且与所述第二发光区重叠;
颜色图案,所述颜色图案在所述第二基底构件的所述第一表面上,所述颜色图案在所述第一滤色器和所述第二滤色器之间,并且与所述非发光区重叠;
遮光构件,所述遮光构件在所述颜色图案上并且与所述非发光区重叠;以及
第一波长转换图案,所述第一波长转换图案在所述第二滤色器上并且包括第一波长偏移器,
其中:
所述多个发光层包括彼此重叠的第一发光层、第二发光层和第三发光层,
所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层用于发射具有440nm至610nm的峰波长的光,
所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层中的一个用于发射第一峰波长的光,并且
所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层中的另一个用于发射不同于所述第一峰波长的第二峰波长的光。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中:
所述第一峰波长在440nm至480nm的范围内,并且
所述第二峰波长在510nm至550nm的范围内。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中:
所述第一峰波长在440nm至460nm的范围内,并且
所述第二峰波长在460nm至480nm的范围内。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中:
所述多个发光层进一步包括与所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层重叠的第四发光层,并且
所述第四发光层用于发射具有440nm至610nm的峰波长的光。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中:
所述第一滤色器和所述颜色图案包括蓝色着色剂,并且
所述第二滤色器包括不同于所述蓝色着色剂的另一着色剂。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中所述第一滤色器的厚度与所述颜色图案的厚度相同。
7.根据权利要求1所述的显示装置,进一步包括:
在所述第一滤色器上的透光图案,
其中所述透光图案包括基础树脂和在所述基础树脂中的散射体。
8.根据权利要求7所述的显示装置,进一步包括:
第一封盖层,所述第一封盖层在所述第二基底构件的所述第一表面上并且覆盖所述第一滤色器、所述第二滤色器、所述颜色图案和所述遮光构件,
其中:
所述第一封盖层包括无机材料,并且
所述透光图案和所述第一波长转换图案在所述第一封盖层上。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中所述第一封盖层与所述遮光构件直接接触。
10.根据权利要求8所述的显示装置,进一步包括:
第二封盖层,所述第二封盖层在所述第一封盖层上并且覆盖所述透光图案和所述第一波长转换图案;以及
防混色构件,所述防混色构件在所述第二封盖层上,所述防混色构件在所述透光图案和所述第一波长转换图案之间,并且包括遮光材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010241909.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的