[发明专利]DDR芯片供电电路的余电泄放电路

说明书

本发明的目的是提供一种DDR芯片供电电路的余电泄放电路，Q12组成的开关电路对VCC 5V进行泄放，当基极高电平时Q12饱和导通，相当于在U6的输入端串联了R347（100R）到地，U6的输入端电容则通过R347迅速放电，能够可靠的泄放掉残电，使系统启动可靠。该电路成本低廉，效果好，具有可推广性。

技术领域

本发明涉及DDR芯片供电电路领域，尤其涉及一种DDR芯片供电电路的余电泄放电路。

背景技术

在给DDR芯片供电的电路中由于DC-DC芯片输入、输出端都有较大的滤波电容，往往在断电之后相当一段时间内仍然还有残余的电量，会造成复位不良，不能正常开机。

如图2所示：该电路是DDR3芯片的供电电路，输入为5V电压，输出为1.5V。U6起到电压降压转换的作用。需要解决断电后残余电量迅速泄放的问题。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种DDR芯片供电电路的余电泄放电路，Q12组成的开关电路对VCC 5V进行泄放，当基极高电平时Q12饱和导通，相当于在U6的输入端串联了R347（100R）到地，U6的输入端电容则通过R347迅速放电，解决了背景技术中出现的问题。

本发明的目的是提供一种DDR芯片供电电路的余电泄放电路，包括有VCC 5V电源输入端，VCC 5V电源输入端串联有R347，R347串联有Q12，Q12串联有R253，R253连接在MCU的PF3#上；Q12还串联有R254和C125，R254和C125两者并联；所述VCC 5V电源输入端串联U6，VCC 5V电源输入端输入的5V电压经过U6电压降压转换作用输出为1.5V；Q12、R254和C125三者均接地。

进一步改进在于：所述R347为100R/±5%，R253为10K/±5%，R254为47K/±5%。

进一步改进在于：当基极高电平时Q12饱和导通，相当于在U6的输入端串联了R347到地，U6的输入端电容则通过R347迅速放电。

该电路的控制端是MCU的PF3#，在两种情况下回开启泄放动作，一种情况是上电瞬间需要把残存电荷泄放干净，让DDR3芯片复位彻底，系统才能够正常启动；另一种情况是整个核心板VDD5V 供电系统在复位的时候，需要配合泄放掉残余电荷，使复位更加彻底。

本发明的有益效果：本发明Q12组成的开关电路对VCC 5V进行泄放，当基极高电平时Q12饱和导通，相当于在U6的输入端串联了R347（100R）到地，U6的输入端电容则通过R347迅速放电，能够可靠的泄放掉残电，使系统启动可靠。该电路成本低廉，效果好，具有可推广性。

附图说明

图1是本发明的电路图。

图2是本发明背景技术中的现有技术电路图。

图3是本发明残余电荷泄放效果图。

具体实施方式

为了加深对本发明的理解，下面将结合实施例对本发明作进一步详述，该实施例仅用于解释本发明，并不构成对本发明保护范围的限定。

如图1-3所示，本实施例提供一种DDR芯片供电电路的余电泄放电路，包括有VCC5V电源输入端，VCC 5V电源输入端串联有R347，R347串联有Q12，Q12串联有R253，R253连接在MCU的PF3#上；Q12还串联有R254和C125，R254和C125两者并联；所述VCC 5V电源输入端串联U6，VCC 5V电源输入端输入的5V电压经过U6电压降压转换作用输出为1.5V；Q12、R254和C125三者均接地。所述R347为100R/±5%，R253为10K/±5%，R254为47K/±5%。

当基极高电平时Q12饱和导通，相当于在U6的输入端串联了R347到地，U6的输入端电容则通过R347迅速放电。