[发明专利]提升SSD性能的方法、装置、计算机设备及存储介质在审
申请号: | 202010242300.6 | 申请日: | 2020-03-31 |
公开(公告)号: | CN111459413A | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 韩道静;郭芳芳;贾宗铭;胡颖颖;方华 | 申请(专利权)人: | 深圳忆联信息系统有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 巫苑明 |
地址: | 518067 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提升 ssd 性能 方法 装置 计算机 设备 存储 介质 | ||
本发明涉及一种提升SSD性能的方法、装置、计算机设备及存储介质,方法包括:获取电压阈值表,电压阈值表记录有SSD所有数据块读取数据时的电压阈值Vth;根据电压阈值表上记录的电压阈值Vth定期间隔预读所有的数据块,动态调整数据块的电压阈值Vth,将调整后的电压阈值Vth更新到电压阈值表中;获取主机的数据读取指令,所述数据读取指令包含有待读取数据所在的目标数据块信息;根据目标数据块信息从所述电压阈值表中获取对应目标数据块的目标电压阈值Vth;根据获取到的目标电压阈值Vth进行数据读取。本发明可以使用存储于电压阈值表中对应的电压阈值一次读取成功,减少数据读取次数,降低了SSD命令响应延迟,提升SSD了的IO性能。
技术领域
本发明涉及SSD领域,更具体地说是指一种提升SSD性能的方法、装置、计算机设备及存储介质。
背景技术
SSD(Solid State Disk,固态硬盘),作为一种新型存储介质,其采用NAND(闪存)颗粒作为数据存储,相比于传统HDD(Hard Disk Drive,硬盘驱动器),其最大优势在于很高的读写性能。
随着NAND的技术升级,从最初的采用SLC(Single-Level Cell,单层单元)到现在的QLC(Quad-Level Cell,或者叫4bit MLC),QLC相对于SLC的优势是容量大和成本低,但缺点也很明显,QLC NAND的bit错误率比SLC高,NAND经过disturb或retention后,NAND的cell单元错误bit数会很多,再次读取数据时,往往需要经过多次重新读取,才能读取到正确的数据,这样就会导致SSD的IO性能下降。
如图1-3所示,现有SSD在数据写入到NAND一段时间后,由于NAND的特性,NAND内部cell会随着Disturb(干扰)或Retention变化,如果此时还用默认的Vth(电压阈值)进行数据的读取,那么读取上来的数据就会不对,需要多次调整Vth(加上或减去Δth),然后再次读取NAND的数据,直到数据获取正确,这样就会导致,SSD的命令响应延时增加,IO性能下降。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷,提供一种提升SSD性能的方法、装置、计算机设备及存储介质。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
第一方面,本发明提出一种提升SSD性能的方法,包括以下步骤:
获取电压阈值表,所述的电压阈值表记录有SSD所有数据块读取数据时的电压阈值Vth;
根据电压阈值表上记录的电压阈值Vth定期间隔预读所有的数据块,动态调整数据块的电压阈值Vth,将调整后的电压阈值Vth更新到所述的电压阈值表中;
获取主机的数据读取指令,所述数据读取指令包含有待读取数据所在的目标数据块信息;
根据目标数据块信息从所述电压阈值表中获取对应目标数据块的目标电压阈值Vth;
根据获取到的目标电压阈值Vth进行数据读取。
第二方面,本发明提出一种提升SSD性能的装置,包括:
表格获取单元,用于获取电压阈值表,所述的电压阈值表记录有SSD所有数据块读取数据时的电压阈值Vth;
预读调整单元,用于根据电压阈值表上记录的电压阈值Vth定期间隔预读所有的数据块,动态调整数据块的电压阈值Vth,将调整后的电压阈值Vth更新到所述的电压阈值表中;
指令获取单元,用于获取主机的数据读取指令,所述数据读取指令包含有待读取数据所在的目标数据块信息;
目标获取单元,用于根据目标数据块信息从所述电压阈值表中获取对应目标数据块的目标电压阈值Vth;
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