[发明专利]一种通孔的激光加工方法有效
申请号: | 202010242646.6 | 申请日: | 2020-03-31 |
公开(公告)号: | CN111430296B | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 陈洁 | 申请(专利权)人: | 福唐激光(苏州)科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 激光 加工 方法 | ||
1.一种通孔的激光加工方法,其依次包括以下步骤:
(1)根据在预形成在绝缘层中的通孔的直径和深度,测算气隙所产生的位置,该气隙为材料完全填充满所述通孔时所产生的气隙;所述通孔的纵宽比(深度与直径的比值)大于等于5,且所述气隙完全位于所述通孔内;测算气隙所产生的位置的方法具体包括:在所述绝缘层中形成一具有所述直径和所述深度的冗余通孔,在所述冗余通孔中连续沉积第一材料,并记录其沉积的速度以及气隙所产生的位置,该气隙的位置包括气隙高度和气隙起始位置;
(2)根据所述气隙的位置,设定一预定高度;
(3)在所述通孔中沉积第一材料,检测第一材料是否达到所述预定高度,所述第一材料中形成有具有第一开口和第一深度的第一凹孔;
(4)利用激光对所述第一材料进行修复,以使得所述第一凹孔修整为第二凹孔,所述第二凹孔具有第二开口和第二深度;所述第一开口和第二开口的口径均小于所述通孔的直径;所述激光的光斑直径大于所述第一开口的孔径,但是小于所述通孔的直径;
(5)继续沉积所述第一材料。
2.根据权利要求1所述的通孔的激光加工方法,其特征在于,还包括步骤(6),平坦化所述第一材料。
3.根据权利要求1所述的通孔的激光加工方法,其特征在于,在步骤(1)中,还包括在绝缘层中形成该通孔,该通孔的底部露出在所述绝缘层之下的顶部金属层。
4.根据权利要求1所述的通孔的激光加工方法,其特征在于,在步骤(3)中,所述第一材料到达所述预定高度时,所述第一深度为所述气隙高度的三分之一至二分之一。
5.根据权利要求4所述的通孔的激光加工方法,其特征在于,所述第一开口的孔径小于所述第二开口的孔径,所述第一深度大于所述第二深度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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