[发明专利]OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置有效
申请号: | 202010242669.7 | 申请日: | 2020-03-31 |
公开(公告)号: | CN111430300B | 公开(公告)日: | 2023-09-05 |
发明(设计)人: | 马玲玲;刘亮亮;彭利满;米红玉;闫晓峰;高乐 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H10K71/00 | 分类号: | H10K71/00;H10K50/844;H10K59/12 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 付生辉 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。该OLED阵列基板的一具体实施方式包括:衬底;形成在衬底上的阳极;围绕并覆盖所述阳极边缘的像素界定层;形成在所述阳极上的OLED发光层;形成在所述像素界定层上的钝化层,所述钝化层在所述衬底上的正投影覆盖被所述像素界定层覆盖的阳极边缘在所述衬底上的正投影;阴极,覆盖所述钝化层和OLED发光层。该实施方式可有效防止在由于工艺原因使阳极发生边缘翘起的情况下,形成尖端放电而导致的暗点不良。
技术领域
本发明涉及显示技术领域。更具体地,涉及一种OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。
背景技术
如图1所示,现有OLED阵列基板的结构为:衬底10;形成在衬底10上的薄膜晶体管层20;形成在薄膜晶体管层20上的平坦化层(PLN)30;形成在平坦化层30上的阳极(Anode)40及围绕并覆盖阳极40边缘的像素界定层(PDL)50;形成在阳极40上的OLED发光层60;形成在像素界定层50上的支撑层(PS)70;覆盖像素界定层50、OLED发光层60及支撑层70的阴极80。其中,阳极40边缘保护层仅有像素界定层50,在阳极40由于工艺原因发生如图2所示的边缘翘起的情况下,由于阳极40边缘翘起使得阳极40边缘与阴极80之间的膜层偏薄,极容易形成尖端放电,从而引发暗点不良,影响显示质量。
因此,需要提供一种新的OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置,以解决现有技术存在的问题中的至少一个。
为达到上述目的,本发明采用下述技术方案:
本发明第一方面提供了一种OLED阵列基板的制备方法,包括:
在衬底上形成薄膜晶体管层;
在薄膜晶体管层上形成平坦化层;
在平坦化层上形成阳极和像素界定层,其中所述像素界定层围绕所述阳极并覆盖所述阳极的边缘;
在所述阳极上形成OLED发光层;
在所述像素界定层上形成钝化层,其中,所述钝化层在所述衬底上的正投影覆盖被所述像素界定层覆盖的阳极边缘在所述衬底上的正投影;
形成阴极,覆盖所述钝化层和OLED发光层。
采用本发明第一方面提供的制备方法制备的OLED阵列基板,通过加厚阳极边缘的保护层,可有效防止在由于工艺原因使阳极发生边缘翘起的情况下形成尖端放电而导致的暗点不良,保证了显示质量。
可选地,在形成阴极之前,还包括:
在所述像素界定层上形成支撑层,其中,所述阴极覆盖所述支撑层。
可选地,
所述钝化层的厚度小于所述支撑层的厚度。
可选地,
仅在被所述像素界定层覆盖的阳极边缘对应的位置形成所述钝化层。
可选地,
采用镀膜工艺形成所述钝化层。
可选地,
所述钝化层由SiO2或Si3N4形成。
本发明第二方面提供了一种OLED阵列基板,包括:
衬底;
形成在衬底上的阳极;
围绕并覆盖所述阳极边缘的像素界定层;
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