[发明专利]单晶硅棒测量模块及其晶体生长系统在审
| 申请号： | 202010242876.2 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN111366113A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 姚自峰 | 申请（专利权）人： | 陕西梵翌琨机电科技有限公司 |
| 主分类号： | G01B21/00 | 分类号： | G01B21/00;C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 曾庆喜 |
| 地址： | 712000 陕西省西安市西咸新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 测量 模块 及其 晶体生长 系统 | ||
1.单晶硅棒测量模块，其特征在于，包括设置在牵引室(1)外壁上的纵向导轨二(52)，导轨二(52)上配合设置有底端可运动至牵引室(1)下方的移动元件二(53)，移动元件二(53)的底端连接有与牵引室(1)同轴的环形扫描元件(54)，移动元件二(53)上连接有位于牵引室(1)外壁上的动力元件三(51)。
2.如权利要求1所述的单晶硅棒测量模块，其特征在于，所述扫描元件(54)的内侧壁沿周向均匀间隔设置有至少三组三维扫描仪。
3.如权利要求1所述的单晶硅棒测量模块，其特征在于，所述导轨二(52)设置有两条且对称分布在牵引室(1)的两侧。
4.一种具有如权利要求1所述单晶硅棒测量模块的晶体生长系统，其特征在于，还包括牵引室(1)上方设置的籽晶提拉机构(2)以及牵引室(1)下方依次设置的圆顶室和主炉室，主炉室外部包围超导磁场。
5.如权利要求4所述的一种具有单晶硅棒测量模块的晶体生长系统，其特征在于，所述牵引室(1)的外壁上还设置有单晶硅棒下降保护组件(4)，单晶硅棒下降保护组件(4)包括对称设置在牵引室(1)外壁两侧的两条纵向导轨一(42)，两条导轨一(42)上均配合设置有移动元件一(44)，两个移动元件一(44)上均连接有位于牵引室(1)外壁上的动力元件一(41)，两个移动元件一(44)的底端均设置有动力元件二(43)，两个动力元件二(43)均通过转轴(46)连接有可相互锁合的保护元件(45)。
6.如权利要求5所述的一种具有单晶硅棒测量模块的晶体生长系统，其特征在于，所述保护元件(45)上开设有定位元件(48)，定位元件(48)内设置有柔性缓冲元件(47)。
7.如权利要求4所述的一种具有单晶硅棒测量模块的晶体生长系统，其特征在于，所述籽晶提拉机构(2)内通过钼丝连接有籽晶夹头，籽晶夹头上安装有位于牵引室(1)内的籽晶/单晶硅棒(6)。
8.如权利要求4所述的一种具有单晶硅棒测量模块的晶体生长系统，其特征在于，所述牵引室(1)的外壁上还设置有连接组件(3)。
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