[发明专利]电路基板有效

专利信息
申请号: 202010243236.3 申请日: 2020-03-31
公开(公告)号: CN111484692B 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: 何亮;董辉;任英杰;卢悦群;吴业文;何双;竺永吉 申请(专利权)人: 浙江华正新材料股份有限公司;杭州华正新材料有限公司
主分类号: C08L27/18 分类号: C08L27/18;C08K9/06;C08K3/36;C08K7/08;C08K7/04;H05K1/03
代理公司: 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 代理人: 储照良
地址: 311121 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 路基
【权利要求书】:

1.一种电路基板,其特征在于,包括介电层和设于所述介电层至少一表面上的导电层,其中,所述介电层的材料为组合物,包括混合填料和含氟树脂粉料,所述混合填料包括介电填料和晶须,所述混合填料经过偶联剂改性,所述介电填料的粒径为D1,D1为0.5μm~5μm,所述含氟树脂粉料的粒径为D2,D2为1μm~10μm,所述晶须的直径为D3,D3为2μm~15μm,且D1、D2、D3满足以下关系式:D1<D2<D3,所述介电层在10GHz处具有3.0~3.2的介电常数,所述介电常数的极差小于等于0.04,所述介电层的介电损耗小于等于0.002,导热系数大于等于1W/m·K。

2.根据权利要求1所述的电路基板,其特征在于,所述晶须的长径比为5:1~15:1。

3.根据权利要求1所述的电路基板,其特征在于,所述晶须的导热系数大于等于150W/m·K,介电损耗小于等于0.002。

4.根据权利要求3所述的电路基板,其特征在于,所述晶须包括氧化锌晶须、氧化铝晶须、氧化镁晶须、氮化硼晶须、氮化铝晶须、氮化硅晶须、碳化硅晶须、碳化硼晶须中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的电路基板,其特征在于,所述介电填料的介电损耗小于等于0.002。

6.根据权利要求1所述的电路基板,其特征在于,所述含氟树脂粉料的介电损耗小于等于0.001。

7.根据权利要求1所述的电路基板,其特征在于,所述混合填料与所述含氟树脂粉料的重量比为0.5:1~2:1。

8.根据权利要求1所述的电路基板,其特征在于,所述晶须与所述介电填料的重量比为1:0.1~1:2。

9.根据权利要求1所述的电路基板,其特征在于,所述介电层的制备方法为:采用冷压成型的方法将所述组合物制成所述介电层,所述冷压成型的压合温度为10℃~60℃,压力为2MPa~8MPa。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江华正新材料股份有限公司;杭州华正新材料有限公司,未经浙江华正新材料股份有限公司;杭州华正新材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010243236.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top