[发明专利]单晶炉及采用其进行单晶硅棒测量的方法

权利要求书

1.一种采用单晶炉进行单晶硅棒测量的方法，其特征在于，单晶炉包括牵引室（1），牵引室（1）的外壁上设置有单晶硅棒测量组件（5）和单晶硅棒转移保护组件（4），单晶硅棒测量组件（5）包括位于牵引室（1）外壁的纵向导轨（52），导轨（52）上配合设置有底端可运动至牵引室（1）下方的移动元件（53），移动元件（53）的底端连接有与牵引室（1）同轴的环形扫描元件（54），移动元件（53）上连接有位于牵引室（1）外壁上的动力元件二（51）；单晶硅棒转移保护组件（4）包括沿牵引室（1）径向与其外壁依次连接的转轴（42）和动力元件一（41），转轴（42）上连接有可旋转至牵引室（1）下方的定位元件（43）；

所述扫描元件（54）的内侧壁沿周向均匀间隔设置有至少三组三维扫描仪；

所述单晶硅棒转移保护组件（4）为一端开口的矩形框架结构，单晶硅棒转移保护组件（4）的开口端套设于牵引室（1）对称的两侧，转轴（42）设置有两个并分别连接于单晶硅棒转移保护组件（4）开口端与牵引室（1）之间，定位元件（43）为孔形结构并开设置于单晶硅棒转移保护组件（4）远离牵引室（1）的一端，定位元件（43）内设置有柔性缓冲元件（44）；

所述导轨（52）设置有两条且对称分布在牵引室（1）的两侧；

所述动力元件一（41）同轴连接于两个转轴（42）中一个且远离牵引室（1）的一端；

所述牵引室（1）的上方设置有籽晶提拉机构（2），牵引室（1）的下方依次设置有圆顶室和主炉室，主炉室外部包围超导磁场；

所述籽晶提拉机构（2）内通过钼丝连接有籽晶夹头，籽晶夹头上安装有位于牵引室（1）内的籽晶/单晶硅棒（6）；

所述牵引室（1）的外壁上还设置有连接组件（3）；

单晶硅棒测量的方法包括以下步骤：

步骤1：当单晶硅棒（6）在牵引室（1）中冷却完成之后，开启牵引室（1）并控制其上移；

步骤2：停止牵引室（1），动力元件一（41）动作使得单晶硅棒转移保护组件（4）旋转至竖直状态；

步骤3：通过籽晶提拉机构（2）控制单晶硅棒（6）下降至其底端进入定位元件（43）内并与柔性缓冲元件（44）接触，之后单晶硅棒（6）停止下降；

步骤4：将单晶硅棒（6）在单晶硅棒转移保护组件（4）的保护下随着牵引室（1）共同移动至单晶硅棒取出/测量区域；

步骤5：当单晶硅棒（6）到达单晶硅棒取出/测量区域时，通过籽晶提拉机构（2）控制单晶硅棒（6）上升至牵引室（1）内部，动力元件一（41）动作使得单晶硅棒转移保护组件（4）旋转至初始位置；

步骤6：动力元件二（51）动作使得扫描元件（54）随着移动元件（53）沿着导轨（52）共同向下运动，至扫描元件（54）的上边缘不高于牵引室（1）的下边缘后停止，之后开启扫描元件（54）；

步骤7：通过籽晶提拉机构（2）控制单晶硅棒（6）匀速下降并使其整体穿过扫描元件（54）后停止，完成扫描元件（54）对单晶硅棒（6）的数据采集。

2.如权利要求1所述的一种采用单晶炉进行单晶硅棒测量的方法，其特征在于，还包括以下步骤：完成扫描元件（54）对单晶硅棒（6）的数据采集后关闭扫描元件（54），动力元件二（51）动作使得扫描元件（54）随着移动元件（53）沿着导轨（52）共同向上运动，至扫描元件（54）的下边缘不低于牵引室（1）的下边缘后停止。