[发明专利]一种薄膜压电声波滤波器及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜压电声波滤波器的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一基板；

在所述第一基板上形成压电叠层结构，所述压电叠层结构包括依次形成在所述第一基板上的第一电极、压电层和第二电极；

图形化所述压电叠层结构，形成多个有效谐振区，所述有效谐振区内的所述第一电极、压电层、第二电极在垂直于所述压电层方向上相互叠置；

在每一所述有效谐振区的上方形成第一牺牲层，使所述第一牺牲层的边界遮盖所述有效谐振区的边界，且相邻所述第一牺牲层之间相互隔离；

形成第一介质层，覆盖所述第一牺牲层及所述第一牺牲层之间相互隔离的区域；

提供第二基板，将所述第二基板键合在所述第一介质层的上表面；

去除所述第一基板；

去除所述第一牺牲层。

2.根据权利要求1所述的薄膜压电声波滤波器的制造方法，其特征在于，去除所述第一基板后还包括：

形成第二牺牲层，使每一所述第二牺牲层的边界遮盖每一所述有效谐振区的边界，并使相邻所述有效谐振区上的所述第二牺牲层相互隔离；

形成盖帽层本体，覆盖所述第二牺牲层及相邻所述第二牺牲层之间相互隔离的区域；

在所述盖帽层本体形成释放孔，所述释放孔暴露出所述第二牺牲层；

通过所述释放孔，去除所述第二牺牲层，形成第二空腔。

3.根据权利要求1所述的薄膜压电声波滤波器的制造方法，其特征在于，图形化所述压电叠层结构，形成每一所述有效谐振区包括：

图形化所述第二电极形成第二侧面，所述第二侧面构成所述有效谐振区的部分边界；

去除所述第一基板后，图形化所述第一电极，形成第一侧面，所述第一侧面构成有效谐振区的部分边界。

4.根据权利要求1所述的薄膜压电声波滤波器的制造方法，其特征在于，图形化所述压电叠层结构，形成每一所述有效谐振区包括：

图形化所述第二电极形成第二侧面，所述第二侧面基本构成所述有效谐振区的边界；

或者，

去除所述第一基板后，图形化所述第一电极，形成第一侧面，所述第一侧面基本构成有效谐振区的边界。

5.根据权利要求2所述的薄膜压电声波滤波器的制造方法，其特征在于，还包括：

在形成第二牺牲层之前，在所述第一牺牲层上、有效谐振区外围形成贯穿所述压电叠层结构的释放通道；

通过所述释放通道去除所述第一牺牲层。

6.根据权利要求5所述的薄膜压电声波滤波器的制造方法，其特征在于，去除所述第二牺牲层时，通过所述释放通道去除所述第一牺牲层；

或者，

形成所述第二牺牲层前，先通过所述释放通道去除所述第一牺牲层，之后通过所述释放孔去除所述第二牺牲层。

7.根据权利要求5所述的薄膜压电声波滤波器的制造方法，其特征在于，所述释放通道为多个彼此分离的通孔；

或者，

所述释放通道为围绕所述有效区延伸的沟槽，所述沟槽的边界与所述有效谐振区的边界错开或重叠。

8.根据权利要求2所述的薄膜压电声波滤波器的制造方法，其特征在于，形成所述盖帽层本体包括：

利用沉积工艺形成一层或多层膜层，每一层膜层的材料包括：硅氧化物、硅氮化物、硅碳化物其中之一；

或，

利用旋涂或贴膜工艺形成一层或多层膜层，每一层膜层的材料包括有机固化膜。

9.根据权利要求2所述的薄膜压电声波滤波器的制造方法，其特征在于，去除所述第二牺牲层后还包括：形成封盖层，覆盖所述盖帽层本体，所述封盖层部分嵌入所述释放孔内。

10.根据权利要求9所述的薄膜压电声波滤波器的制造方法，其特征在于，形成所述封盖层的方法包括：贴膜工艺、沉积工艺或涂布工艺。