[发明专利]一种用于薄硅膜SOI栅氧可靠性评估的有源区多指测试结构在审
| 申请号： | 202010244311.8 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN111430332A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 纪旭明;顾祥;张庆东;谢儒彬;吴建伟;洪根深 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 薄硅膜 soi 可靠性 评估 有源 区多指 测试 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于薄硅膜SOI栅氧可靠性评估的有源区多指测试结构，包括Si及覆盖在其表面的SiO2，所述SiO2表面覆盖有薄硅，其特征在于，
还包括：
薄硅膜SOI，所述薄硅膜SOI包括有源区、多晶和栅氧；
STI隔离槽，刻蚀形成在所述有源区上。
2.如权利要求1所述的用于薄硅膜SOI栅氧可靠性评估的有源区多指测试结构，其特征在于，所述多晶为H型。
3.如权利要求1所述的用于薄硅膜SOI栅氧可靠性评估的有源区多指测试结构，其特征在于，所述隔离槽与所述多晶平行。
4.如权利要求1所述的用于薄硅膜SOI栅氧可靠性评估的有源区多指测试结构，其特征在于，所述多晶覆盖在所述栅氧上面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所，未经中国电子科技集团公司第五十八研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010244311.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
