[发明专利]一种碳化硅MOS电容器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202010244764.0 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN111403280A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 罗志鹏;许恒宇;金智;万彩萍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/94;H01L29/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mos 电容 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种碳化硅MOS电容器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供一SiC外延片，所述SiC外延片包括SiC衬底及位于所述SiC衬底上的SiC外延层；
对所述SiC外延片进行氧化处理，形成位于所述SiC外延层背离所述SiC衬底一侧的栅氧化层；
对形成有所述栅氧化层的SiC外延片，在Ar气氛条件下或含O元素的Ar气氛条件下进行第一次退火处理；
对形成有所述栅氧化层的SiC外延片，在含N气氛条件下进行第二次退火处理；
在所述栅氧化层背离所述SiC衬底一侧形成第一电极，且在所述SiC衬底背离所述SiC外延层一侧形成第二电极。
2.根据权利要求1所述的碳化硅MOS电容器件的制作方法，其特征在于，所述第一次退火处理时退火温度范围为1200℃-1500℃，包括端点值。
3.根据权利要求1所述的碳化硅MOS电容器件的制作方法，其特征在于，所述第二次退火处理时退火温度范围为1200℃-1500℃，包括端点值。
4.根据权利要求1所述的碳化硅MOS电容器件的制作方法，其特征在于，所述含N气氛条件为NO气氛条件、N2气氛条件、NH3气氛条件或NO2气氛条件。
5.根据权利要求1所述的碳化硅MOS电容器件的制作方法，其特征在于，所述第一次退火处理时退火温度高于所述氧化处理时氧化温度。
6.根据权利要求1所述的碳化硅MOS电容器件的制作方法，其特征在于，所述第二次退火处理时退火温度低于所述第一次退火处理时退火温度。
7.根据权利要求1所述的碳化硅MOS电容器件的制作方法，其特征在于，对所述SiC外延片进行氧化处理而形成所述栅氧化层的同时，对所述SiC外延片进行氧化处理还在所述SiC衬底背离所述SiC外延层一侧形成有牺牲氧化层；
其中，在形成所述第二电极前去除所述牺牲氧化层。
8.根据权利要求1所述的碳化硅MOS电容器件的制作方法，其特征在于，所述SiC外延片的材料为4H-SiC、3C-SiC或6H-SiC。
9.根据权利要求1所述的碳化硅MOS电容器件的制作方法，其特征在于，对所述SiC外延片进行氧化处理，包括：
对所述SiC外延片进行干氧氧化处理，在氧气气氛下对所述SiC外延片进行预设温度的高温处理。
10.一种碳化硅MOS电容器件，其特征在于，采用权利要求1-9任意一项所述的碳化硅MOS电容器件的制作方法制作而成。
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