[发明专利]用于处理衬底的设备及方法

权利要求书

1.一种用于电化学处理半导体衬底的设备，所述设备包括：

处理腔室，其具有可密封到半导体衬底的外围部分以便界定覆盖处理体积的类型；

衬底支撑件，其用于支撑所述半导体衬底；

磁性布置，其安置在所述处理腔室的外部，所述磁性布置产生磁场；

控制器，其用于控制所述磁性布置以便改变所述磁场；及

搅拌器，其安置在所述处理腔室内，所述搅拌器包括磁性响应元件，所述磁性响应元件响应于所述磁性布置的所述磁场的改变以便向所述搅拌器提供往复运动。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述磁性响应元件包括至少一个永磁体。

3.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述磁性响应元件响应于所述磁布置的所述磁场的位置的改变。

4.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述磁性响应元件响应于通过所述处理腔室的侧壁的所述磁场的改变。

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述磁性响应元件响应于通过其的所述磁场的改变的所述侧壁具有小于所述处理腔室的另一侧壁的厚度的厚度。

6.根据权利要求4所述的设备，其中所述磁性响应元件响应于通过其所述磁场的改变的所述侧壁具有3到10mm，优选地为约5mm的厚度。

7.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述磁性响应元件及所述磁性布置具有小于30、小于25mm、小于20mm或小于10mm的间隔。

8.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述搅拌器包括两个磁性响应元件，其经布置以邻近于所述处理腔室的相对侧壁，其中每一磁性响应元件响应于所述磁性布置的所述磁场的改变以便向所述搅拌器提供往复运动。

9.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述磁性布置包括永磁体、电磁体或磁性阵列。

10.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述搅拌器进一步包括至少一个桨。

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述至少一个桨是多个桨，并且所述多个桨中的邻近桨以大体上规则的间距隔开。

12.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述搅拌器包括突片，所述突片由所述处理腔室的互补部分接纳以支撑所述搅拌器。

13.根据权利要求12所述的设备，其中所述突片包括所述磁性响应元件。

14.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述搅拌器由以下材料制成：金属材料，例如钛、涂覆铂的钛；电介质材料；或塑料材料，例如聚氯乙烯PVC。

15.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述衬底支撑件是用于将半导体衬底大体上水平地支撑在上面的类型，任选地其中待处理的所述半导体衬底的正面朝上。

16.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述处理腔室具有小于300mm或小于200mm的横截面尺寸。

17.一种处理系统，其包括根据权利要求1所述的多个设备的垂直堆叠。

18.根据权利要求17所述的处理系统，其中所述垂直堆叠中的邻近设备以200mm或更小和任选地150mm或更小的间距隔开。