[发明专利]一种兰姆波谐振器及其制备方法有效
申请号: | 202010245302.0 | 申请日: | 2020-03-31 |
公开(公告)号: | CN111431501B | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
发明(设计)人: | 欧欣;郑鹏程;张师斌;周鸿燕;黄凯 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H03H3/08 | 分类号: | H03H3/08;H03H9/02 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;贾允 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 兰姆波 谐振器 及其 制备 方法 | ||
1.一种兰姆波谐振器,其特征在于,包括:支撑衬底(1)、反射层(2)、第一压电膜(3)、第二压电膜(4)和电极层(5);
所述支撑衬底(1)、所述反射层(2)、所述第一压电膜(3)、所述第二压电膜(4)和所述电极层(5)依次层叠连接;
所述第一压电膜(3)和所述第二压电膜(4)配合能够消除或减小激发高阶兰姆波不需要的压电系数。
2.根据权利要求1所述的兰姆波谐振器,其特征在于:所述兰姆波谐振器利用高阶A波或S波;
所述兰姆波谐振器能够有效抑制0阶SH波、0阶S波或0阶A波中至少一种的激发。
3.根据权利要求1所述的兰姆波谐振器,其特征在于,所述反射层(2)为空气反射层(2),所述空气反射层(2)通过对牺牲层进行局部刻蚀形成;
所述第一压电膜(3)和所述第二压电膜(4)均开设有刻蚀孔;
或;
所述反射层(2)为布拉格反射层(2)。
4.根据权利要求1所述的兰姆波谐振器,其特征在于,所述第一压电膜(3)和所述第二压电膜(4)的厚度总和与所述第一压电膜(3)和所述第二压电膜(4)所激发的弹性波波长的比值小于1。
5.根据权利要求1所述的兰姆波谐振器,其特征在于,所述第一压电膜(3)的材料包括铌酸锂、钽酸锂、氧化锌、石英或氮化铝;
所述第二压电膜(4)的材料包括铌酸锂、钽酸锂、氧化锌、石英或氮化铝。
6.一种兰姆波谐振器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
获取支撑衬底(1);
在所述支撑衬底(1)上制备形成器件结构层;
所述器件结构包括:反射层(2)、第一压电膜(3)、第二压电膜(4)和电极层(5),所述反射层(2)、所述第一压电膜(3)、所述第二压电膜(4)和所述电极层(5)依次层叠连接;
所述第一压电膜(3)和所述第二压电膜(4)配合能够消除或减小激发高阶兰姆波不需要的压电系数。
7.根据权利要求6所述的兰姆波谐振器的制备方法,其特征在于,所述在所述支撑衬底(1)上制备形成器件结构层,包括:
在所述支撑衬底(1)上制备牺牲层;
在所述牺牲层上制备形成所述第一压电膜(3);
在所述第一压电膜(3)上制备形成所述第二压电膜(4);
在所述第二压电膜(4)上制备形成所述电极层(5);
对所述第一压电膜和所述第二压电膜(4)进行刻蚀开孔处理;
对所述牺牲层进行局部刻蚀处理制备形成所述反射层(2)。
8.根据权利要求6所述的兰姆波谐振器的制备方法,其特征在于,所述在所述支撑衬底(1)上制备形成器件结构层,包括:
在所述支撑衬底(1)上制备布拉格反射层(2)形成所述反射层(2);
在所述布拉格反射层(2)上制备形成所述第一压电膜(3);
在所述第一压电膜(3)上制备形成所述第二压电膜(4);
在所述第二压电膜(4)上制备形成所述电极层(5)。
9.根据权利要求6所述的兰姆波谐振器的制备方法,其特征在于,所述第一压电膜(3)和所述第二压电膜(4)的厚度总和与所述第一压电膜(3)和所述第二压电膜(4)所激发的弹性波波长的比值小于1。
10.根据权利要求6所述的兰姆波谐振器的制备方法,其特征在于,所述第一压电膜(3)的材料包括铌酸锂、钽酸锂、氧化锌、石英或氮化铝;
所述第二压电膜(4)的材料包括铌酸锂、钽酸锂、氧化锌、石英或氮化铝。
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