[发明专利]一种显示面板及其制备方法有效
申请号: | 202010246054.1 | 申请日: | 2020-03-31 |
公开(公告)号: | CN111430417B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 杨薇薇 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 徐世俊 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括弯折区和非弯折区;以及
薄膜晶体管结构层,具有阵列分布地薄膜晶体管;
至少一孔槽,至少设于所述弯折区;所述孔槽位于所述弯折区内;所述孔槽设置于同一列的两个相邻薄膜晶体管之间;或/和所述孔槽设置于同一行的两个相邻薄膜晶体管之间;
有机填充层,填充于所述孔槽中,且所述有机填充层的表面完全高出所述孔槽的槽口,所述有机填充层的表面为平面,所述有机填充层为柔韧性较好的有机材料;
信号线,电连接于所述薄膜晶体管,且覆于所述有机填充层的表面形成凹凸不平的走线结构;所述至少一孔槽设于两个相邻的薄膜晶体管之间;所述信号线桥接于两个薄膜晶体管之间;所述孔槽非连续地成排设置;以及
相互平行设置的若干数据线和相互平行设置的若干扫描线,所述扫描线垂直于所述数据线;
其中所述信号线包括:
第一桥接线,连接在同一列的两个相邻薄膜晶体管的源极或漏极之间,所述第一桥接线平行于所述数据线;或/和
第二桥接线,连接在同一行的两个相邻薄膜晶体管的栅极层之间,所述第二桥接线平行于所述扫描线。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管结构层包括:
基板;
有源层,设于所述基板上;
第一栅极绝缘层,设于所述有源层上;
第一栅极层;设于所述第一栅极绝缘层上;
源极和漏极,设于所述第一栅极层上,所述源极和所述漏极对应连接至所述有源层;每一薄膜晶体管具有所述有源层、所述第一栅极绝缘层、所述第一栅极层、所述源极和所述漏极。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,还包括:
平坦层,设于所述源极、漏极和所述信号线上;
像素电极层,设于所述平坦层上,所述像素电极层与所述漏极相接;
像素定义层,设于所述像素电极层上。
4.一种制备方法,用以制备如权利要求1所述的显示面板,所述显示面板包括弯折区和非弯折区,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:
提供一所述薄膜晶体管结构层,其具有阵列分布地薄膜晶体管;
形成所述孔槽于所述弯折区内;所述孔槽位于所述弯折区内;所述孔槽设置于同一列的两个相邻薄膜晶体管之间;或/和所述孔槽设置于同一行的两个相邻薄膜晶体管之间;
在所述孔槽中填充柔韧性较好的有机填充层,且所述有机填充层的表面完全高出所述孔槽的槽口,所述有机填充层的表面为平面;
沉积金属材料于所述有机填充层的表面形成凹凸不平的信号线,所述信号线电连接于所述薄膜晶体管;
所述至少一孔槽设于两个相邻的薄膜晶体管之间;所述信号线桥接于两个薄膜晶体管之间。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,在沉积金属材料于所述有机填充层的表面形成凹凸不平的信号线的步骤后,还包括
形成平坦层于所述薄膜晶体管结构层和所述信号线上;
形成像素电极层于所述平坦层上;
形成像素定义层于所述像素电极层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的