[发明专利]一种模拟输出集成温度传感器有效
申请号: | 202010246243.9 | 申请日: | 2020-03-31 |
公开(公告)号: | CN113465764B | 公开(公告)日: | 2023-01-10 |
发明(设计)人: | 白玮;于翔;谢程益 | 申请(专利权)人: | 圣邦微电子(北京)股份有限公司 |
主分类号: | G01K7/21 | 分类号: | G01K7/21 |
代理公司: | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人: | 吴小灿 |
地址: | 100089 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 模拟 输出 集成 温度传感器 | ||
1.一种模拟输出集成温度传感器,其特征在于,包括运算放大器,所述运算放大器的输出端连接模拟输出电压端,所述运算放大器的正向输入端连接带隙基准电压电路中的正温度系数电压端,所述运算放大器的负向输入端通过第一电阻连接所述带隙基准电压电路中的零温度系数带隙基准电压端,所述运算放大器的负向输入端通过第二电阻连接接地端;
所述带隙基准电压电路包括基极互连的第一NPN三极管和第二NPN三极管,所述第一NPN三极管中的三极管个数与所述第二NPN三极管中的三极管个数之比为n:1,n为大于1的自然数,所述第二NPN三极管的基极连接所述零温度系数带隙基准电压端,所述第一NPN三极管中的发射极通过第四电阻连接所述正温度系数电压端,所述第二NPN三极管的发射极连接所述正温度系数电压端,所述正温度系数电压端通过第五电阻连接接地端;
所述第二NPN三极管中基极发射极间电压VBE2具有负温度系数,所述正温度系数电压端的正温度系数电压为Vptat,所述零温度系数带隙基准电压端的零温度系数带隙基准电压为VBG,VBG=VBE2+Vptat,
其中K是玻尔兹曼常数,T是热力学温度,q是电子电荷量,n为所述n:1中的n,R5为第五电阻的电阻值,R4为第四电阻的电阻值,Ic为第二NPN三极管的集电极电流,Is为第二NPN三极管的饱和电流,VBE2有负温度系数,Vptat有正温度系数,通过设置R4和R5,得到零温度系数的电压VBG;
所述模拟输出电压端的模拟输出电压Vout由下式确定:
其中R1为第一电阻的电阻值,R2为第二电阻的电阻值,R3为第三电阻的电阻值。
2.根据权利要求1所述的模拟输出集成温度传感器,其特征在于,所述运算放大器的负向输入端通过第三电阻连接所述模拟输出电压端。
3.根据权利要求1所述的模拟输出集成温度传感器,其特征在于,所述运算放大器为CLASS-AB类运算放大器。
4.根据权利要求1所述的模拟输出集成温度传感器,其特征在于,所述第一NPN三极管的集电极分别连接第一PMOS管的漏极和栅极以及第二PMOS管的栅极,所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极均连接电源电压端,所述第二PMOS管的漏极连接所述第二NPN三极管的集电极。
5.根据权利要求1所述的模拟输出集成温度传感器,其特征在于,所述模拟输出电压端通过负载电容连接接地端。
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