[发明专利]常温下温度传感器输出斜率测试方法

说明书

常温下温度传感器输出斜率测试方法，通过在带隙基准产生电路中设置分压电阻和双模式测试开关组合，以改变连接运算放大器正向输入端的正温度系数电压，能够在同样的常温条件下测试到温度传感器输出电压端的两次不同输出电压值，并通过这两次不同输出电压值确定温度传感器输出斜率，避免了对温度传感器芯片的高温加热，从而有利于降低测试成本和提高测试效率。

技术领域

本发明涉及温度传感器输出斜率测试技术，特别是一种常温下温度传感器输出斜率测试方法，通过在带隙基准产生电路中设置分压电阻和双模式测试开关组合，以改变连接运算放大器正向输入端的正温度系数电压，能够在同样的常温条件下测试到温度传感器输出电压端的两次不同输出电压值，并通过这两次不同输出电压值确定温度传感器输出斜率，避免了对温度传感器芯片的高温加热，从而有利于降低测试成本和提高测试效率。

背景技术

温度传感器芯片的输出斜率值是一个重要的指标，当前得到其斜率值的方法一般需要在两个不同温度下测试其输出值，通过两个不同的输出电压值和相对应的两个温度值，一个温度值是常温，另一个温度值是高温，进行简单运算得到斜率值，也就是温度传感器输出随温度变化而变化的线性变化率。这种方法的缺陷是需要对温度传感器芯片加热到高温，这样大大增加了测试成本和测试时间。本发明人认识到，温度传感器芯片电路包括两部分，一部分为带隙基准产生电路Bandgap，另一部分为运算放大器OPA和电阻构成的运算电路，带隙基准产生路通过带隙基准电压端和正温度系数电压端相连接。本发明人认为，如果在带隙基准产生电路中设置分压电阻和双模式测试开关组合，以改变连接运算放大器正向输入端的正温度系数电压，就能够在同样的常温条件下测试到温度传感器输出电压端的两次不同输出电压值，并通过这两次不同输出电压值确定温度传感器输出斜率，避免了对温度传感器芯片的高温加热，从而有利于降低测试成本和提高测试效率。有鉴于此，本发明人完成了本发明。

发明内容

本发明针对现有技术中存在的缺陷或不足，提供一种常温下温度传感器输出斜率测试方法，通过在带隙基准产生电路中设置分压电阻和双模式测试开关组合，以改变连接运算放大器正向输入端的正温度系数电压，能够在同样的常温条件下测试到温度传感器输出电压端的两次不同输出电压值，并通过这两次不同输出电压值确定温度传感器输出斜率，避免了对温度传感器芯片的高温加热，从而有利于降低测试成本和提高测试效率。

本发明的技术方案如下：

常温下温度传感器输出斜率测试方法，其特征在于，利用待测温度传感器芯片电路中的带隙基准产生电路和运算电路，在所述带隙基准产生电路中设置分压电阻和双模式测试开关组合，利用所述双模式测试开关选通所述分压电阻以改变连接所述运算电路中的运算放大器正向输入端的正温度系数电压值，不同的正温度系数电压值对应不同的输出电压值，利用在同样常温条件下测试到的两次不同输出电压值确定温度传感器输出斜率。

所述分压电阻包括第一分压电阻和第二分压电阻，所述第一分压电阻的一端通过所述双模式测试开关中的第一测试模式开关连接正温度系数电压模式切换端，所述第一分压电阻的另一端一路通过所述双模式测试开关中的第二测试模式开关连接所述正温度系数电压模式切换端，另一路通过所述第二分压电阻连接接地端。

所述第一分压电阻的一端一路连接第二NPN三极管的发射极，另一路通过第四电阻连接第一NPN三极管的发射极，所述第一NPN三极管与所述第二NPN三极管的个数比为n:1，n为大于1的自然数，所述第一NPN三极管的基极和所述第二NPN三极管的基极互连后连接带隙基准电压端，所述带隙基准电压端依次通过第一电阻和第二电阻接地，所述第一电阻和第二电阻之间的中间节点一路连接所述运算放大器的负向输入端，另一路通过第三电阻连接所述运算放大器的输出端，所述运算放大器的输出端连接输出电压端。

所述输出电压端通过负载电容连接接地端。

所述第一NPN三极管的集电极分别连接第一PMOS管的漏极和栅极以及第二PMOS管的栅极，所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极均连接电源电压端，所述第二PMOS管的漏极连接所述二NPN三极管的集电极。