[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示用基板及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括:

衬底；

设置在所述衬底上的有源层，所述有源层包括源极区、漏极区以及位于所述源极区和所述漏极区的沟道区；

设置在所述有源层上的栅绝缘图案，所述栅绝缘图案在所述衬底上的正投影与所述沟道区在所述衬底上的正投影重合；

以及设置在所述栅绝缘图案上的第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和所述第二栅极电连接，所述第一栅极的材料包含金属原子，所述第二栅极的材料不包含所述金属原子；所述第二栅极相对于所述第一栅极靠近所述栅绝缘图案；

所述第一栅极在所述衬底上的正投影位于所述第二栅极在所述衬底上的正投影以内，且所述第一栅极在所述衬底上的正投影的面积小于所述第二栅极在所述衬底上的正投影的面积。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述第二栅极靠近所述衬底一侧的表面在所述衬底上的正投影与所述栅绝缘图案远离所述衬底一侧的表面在所述衬底上的正投影重合。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述第一栅极和所述第二栅极为在沿所述衬底的厚度方向上相邻的两个图案。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述第一栅极在所述衬底上的正投影的边界与所述第二栅极在所述衬底上的正投影的边界均具有间隙。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述间隙的宽度处处相等。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极的材料包含金属单质，所述第二栅极的材料为金属氧化物。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述第一栅极的材料为铜，所述第二栅极的材料为氧化铟锡。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：

源漏图案层，所述源漏图案层包括：源极和漏极；

以及设置在所述源漏图案层和所述有源层之间的层间介质层；所述源极通过所述层间介质层上的过孔与所述源极区电连接，所述漏极通过所述层间介质层上的过孔与所述漏极区电连接。

9.一种显示用基板，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的薄膜晶体管。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的显示用基板。

11.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成有源层；

在形成有所述有源层的所述衬底上依次形成栅绝缘薄膜、第一导电薄膜以及第二导电薄膜；

对所述栅绝缘薄膜、所述第一导电薄膜以及所述第二导电薄膜进行图案化以形成栅绝缘图案、第二栅极以及第一栅极；

所述栅绝缘图案覆盖所述有源层的部分区域；所述第一栅极在所述衬底上的正投影位于所述第二栅极在所述衬底上的正投影以内，且所述第一栅极在所述衬底上的正投影的面积小于所述第二栅极在所述衬底上的正投影的面积；

对所述有源层进行导体化，以形成具有源极区、漏极区以及位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区的所述有源层；所述栅绝缘图案在所述衬底上的正投影与所述沟道区在所述衬底上的正投影重合。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，对所述栅绝缘薄膜、所述第一导电薄膜以及所述第二导电薄膜进行图案化包括：

在所述第二导电薄膜上涂覆光刻胶，并进行掩膜曝光以及显影工艺；

对所述第二导电薄膜进行过刻蚀以形成第一图案；

对所述第一导电薄膜进行刻蚀以形成第二栅极；

再次对所述第一图案进行刻蚀以形成所述第一栅极；

采用干刻工艺对所述栅绝缘薄膜进行刻蚀以形成所述栅绝缘图案。