[发明专利]一种旋磁细胞培养装置及其应用

权利要求书

1.一种非治疗为目的采用旋磁细胞培养装置在抑制乳腺癌细胞转移中的应用，其特征在于：包括以下步骤：(1)将乳腺癌细胞接种于含DMEM培养基的培养皿中，将培养皿置于旋磁细胞培养装置内培养，调节乳腺癌细胞受到的磁场强度为0.1-0.4T，旋转频率为4.2Hz；

(2)设定旋磁细胞培养装置的培养条件为：二氧化碳体积浓度5％，培养温度为37℃，培养时间为1-24h；

所述旋磁细胞培养装置包括旋磁装置和细胞培养筒，所述细胞培养筒位于罩体的顶端；所述旋磁装置包括罩体、旋转轴和两块永磁铁，所述旋转轴和两块永磁铁均位于罩体内，所述两块永磁铁沿旋转轴的轴线相对设置，所述两块永磁铁之间设有连接杆，所述连接杆与旋转轴连接，所述旋转轴转动致使两块永磁铁沿旋转轴的轴线旋转，每个永磁铁的一端均朝向罩体顶端，所述两块永磁铁的磁极方向相反；

所述细胞培养筒包括筒体和第一管道，所述筒体内部中空，所述筒体的底端设有开口，所述筒体外侧壁设有空腔夹层，所述第一管道的一端与筒体连接，所述第一管道的一端贯穿至筒体内壁。

2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于：所述永磁铁呈柱状。

3.根据权利要求2所述的应用，其特征在于：所述永磁铁一端的磁极朝向筒体，所述永磁铁另一端的磁极朝向罩体的底端。

4.根据权利要求1所述的应用，其特征在于：所述筒体的材质为无磁性的不锈钢材料。

5.根据权利要求1所述的应用，其特征在于：所述第一管道的一端与筒体的顶壁连接。

6.根据权利要求5所述的应用，其特征在于：所述细胞培养筒还包括第二管道和第三管道，所述第二管道的一端与空腔夹层侧壁底端连接，所述第三管道的一端与空腔夹层侧壁顶端连接，所述第二管道和第三管道相对设置。

7.根据权利要求1所述的应用，其特征在于：所述乳腺癌细胞为乳腺癌细胞MDA-MB231或MCF7。

8.根据权利要求1所述的应用，其特征在于：调节乳腺癌细胞受到的磁场强度为0.1T。