[发明专利]集成电光调制器在审
| 申请号： | 202010247026.1 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN111240055A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 王皓;朱宇;陈奔;施伟明;吴邦嘉;沈笑寒;张拥建;洪小刚;邢园园;吴有强 | 申请（专利权）人： | 亨通洛克利科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035;G02F1/025;G02B6/125 |
| 代理公司： | 苏州睿昊知识产权代理事务所(普通合伙) 32277 | 代理人： | 陈蜜 |
| 地址： | 215200 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成 电光 调制器 | ||
1.一种集成电光调制器，其特征在于：包括SiO2层、位于所述SiO2层上层叠设置的Si层，所述Si层上设有第一硅波导相移臂和第二硅波导相移臂，所述SiO2层内设有PLC波导分路器和PLC波导合路器；所述PLC波导分路器的两路分支基于倏逝波耦合分别与第一硅波导相移臂和第二硅波导相移臂光路连通；所述PLC波导合路器的两路分支基于倏逝波耦合分别与第一硅波导相移臂和第二硅波导相移臂光路连通。
2.如权利要求1所述的集成电光调制器，其特征在于：所述第一硅波导相移臂和第二硅波导相移臂在SiO2层上的正投影分别与所述PLC波导分路器两路分支的近输出端重叠；该重叠的长度或/宽度与倏逝波耦合的耦合效率相关。
3.如权利要求1所述的集成电光调制器，其特征在于：所述PLC波导分路器第一分支近输出端与第一硅波导相移臂之间的垂直距离与两者之间倏逝波耦合的耦合效率相关；所述PLC波导分路器第二分支近输出端与第二硅波导相移臂之间的垂直距离与两者之间倏逝波耦合的耦合效率相关。
4.如权利要求1所述的集成电光调制器，其特征在于：所述PLC波导分路器两路分支的近输出端均为倒锥形结构。
5.如权利要求1～4任一项所述的集成电光调制器，其特征在于：所述第一硅波导相移臂和第二硅波导相移臂在SiO2层上的正投影分别与所述PLC波导合路器两路分支的近输入端重叠；该重叠的长度或/宽度与倏逝波耦合的耦合效率相关。
6.如权利要求1～4任一项所述的集成电光调制器，其特征在于：所述PLC波导合路器第一分支近输入端与第一硅波导相移臂之间的垂直距离与两者之间倏逝波耦合的耦合效率相关；所述PLC波导合路器第二分支近输入端与第二硅波导相移臂之间的垂直距离与两者之间倏逝波耦合的耦合效率相关。
7.如权利要求1～4任一项所述的集成电光调制器，其特征在于：所述PLC波导合路器两路分支的近输入端均为倒锥形结构。
8.如权利要求1所述的集成电光调制器，其特征在于：所述Si层上通过刻蚀形成硅波导，再通过掺杂形成PN结构或者PIN结构的第一硅波导相移臂；以及，所述Si层上通过刻蚀形成硅波导，再通过掺杂形成PN结构或者PIN结构的第二硅波导相移臂。
9.如权利要求8所述的集成电光调制器，其特征在于：所述Si层上设有相互平行的第一电极、第二电极和共用电极，所述公共电极设于第一硅波导相移臂和第二硅波导相移臂之间位置，所述第一电极平行设于第一硅波导相移臂另一侧，所述第二电极平行设于第二硅波导相移臂另一侧；通过所述第一电极和共用电极给所述第一硅波导相移臂施加电压，通过所述第二电极和公共电极给所述第二硅波导相移臂施加电压。
10.如权利要求9所述的集成电光调制器，其特征在于：所述第一硅波导相移臂上的电压与其调制输出光强度相关；以及，所述第二硅波导相移臂上的电压与其调制输出光强度相关。
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