[发明专利]一种大尺寸二维三硒化二铟晶体的制备方法及其应用

权利要求书

1.一种大尺寸二维三硒化二铟晶体的制备方法，其特征在于具体步骤为：

步骤S1：对单晶云母衬底进行机械剥离表面层得到表面洁净的平整云母衬底；

步骤S2：将0.5-2.5mg In₂Se₃粉末放入石英舟中并将其置于双温区管式炉石英管的中间位置处；

步骤S3：将步骤S1得到的平整云母衬底紧贴并排放置5-7cm，并将其置于双温区管式炉石英管的气流下游区域，云母衬底靠近In₂Se₃粉末的一端距离石英舟10-13cm；

步骤S4：向双温区管式炉石英管内通入气压为0.1MPa、气流为100sccm的氢氩混合气，氢氩混合气中氢气与氩气的体积百分含量对应为5%-10%和90%-95%，持续通气1小时以排净空气和杂质；

步骤S5：开始加热并调整氢氩混合气的气流为60sccm，双温区管式炉同步加热至930℃，恒温生长处理后自然冷却至室温得到大尺寸二维三硒化二铟晶体，该二维三硒化二铟晶体的形貌为三角形片状，晶系为六方晶系，尺寸为5-20μm。

2.根据权利要求1所述的大尺寸二维三硒化二铟晶体的制备方法，其特征在于：S1是利用胶带均匀粘贴云母衬底表面后快速拉扯胶带对云母实施机械剥离，去除表面污损层得到表面较为洁净、完整的单晶云母衬底。

3.根据权利要求1所述的大尺寸二维三硒化二铟晶体的制备方法，其特征在于：步骤S5所述双温区管式炉同步加热至930℃恒温生长5-30分钟，继续通入氢氩混合气，再自然冷却室温得到二维三硒化二铟晶体。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的方法制得的大尺寸二维In₂Se₃原子晶体具有良好的铁电性，能够用于制作铁电记忆存储器件。