[发明专利]一种大模场抗弯多芯少模光纤有效
申请号: | 202010247474.1 | 申请日: | 2020-03-31 |
公开(公告)号: | CN111443419B | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 彭楚宇;喻煌;郭浩;程康;熊涛;曲华昕;余俊 | 申请(专利权)人: | 烽火通信科技股份有限公司;烽火藤仓光纤科技有限公司 |
主分类号: | G02B6/02 | 分类号: | G02B6/02 |
代理公司: | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人: | 董婕 |
地址: | 430000 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 大模场抗弯多芯少模 光纤 | ||
1.一种大模场抗弯多芯少模光纤,其特征在于,包括:
多个少模单元,所述少模单元包括少模纤芯(1)以及包围所述少模纤芯(1)的下陷包层(2),所述少模纤芯(1)的相对折射率高于下陷包层(2);
多个空气孔(4);以及
多芯光纤包层(3),所述多芯光纤包层(3)包围各个少模单元以及各个空气孔(4),多芯光纤包层(3)的相对折射率高于下陷包层(2)且低于少模纤芯(1);
其中,所述少模单元按正三角形点阵排列,形成形的少模单元点阵区;所述空气孔(4)与相邻的少模单元或空气孔(4)按正三角形点阵排列,形成两个关于光纤中心对称的空气孔(4)点阵区,所述空气孔(4)点阵区与少模单元点阵区组成以光纤中心为中心的正六边形点阵区,在中心区域打开了对称的泄漏通道。
2.根据权利要求1所述的大模场抗弯多芯少模光纤,其特征在于:所述少模单元的数量为5、11或19;
当少模单元的数量为5时,空气孔(4)的数量为2;
当少模单元的数量为11时,空气孔(4)的数量为8;
当少模单元的数量为19时,空气孔(4)的数量为18。
3.根据权利要求1所述的大模场抗弯多芯少模光纤,其特征在于:光在少模纤芯(1)、下陷包层(2)以及多芯光纤包层(3)中传输时均为圆形光波导。
4.根据权利要求1所述的大模场抗弯多芯少模光纤,其特征在于:所述少模纤芯(1)由掺锗石英玻璃形成,所述下陷包层(2)由掺氟石英玻璃形成,所述多芯光纤包层(3)由掺氟石英玻璃或纯石英玻璃形成,所述空气孔(4)由纯石英玻璃毛细管形成。
5.根据权利要求4所述的大模场抗弯多芯少模光纤,其特征在于:所述纯石英玻璃毛细管的内径及外径与下陷包层(2)保持一致。
6.根据权利要求1所述的大模场抗弯多芯少模光纤,其特征在于:所述少模纤芯(1)的半径为2.5~6.5μm,所述下陷包层(2)的外径半径为4~11.0μm,所述空气孔(4)的外径半径为4~11.0μm,所述多芯光纤包层(3)的半径为62.5~200μm。
7.根据权利要求1所述的大模场抗弯多芯少模光纤,其特征在于:各点阵点的间距为5~30μm。
8.根据权利要求1所述的大模场抗弯多芯少模光纤,其特征在于:所述少模纤芯(1)折射率分布为阶跃式分布,所述少模纤芯(1)与纯石英玻璃的相对折射率差为0.20%~1.0%,所述下陷包层(2)与纯石英玻璃的相对折射率差为-0.40%~-0.75%,所述多芯光纤包层(3)与纯石英玻璃的相对折射率差为-0.20%~0%。
9.根据权利要求1所述的大模场抗弯多芯少模光纤,其特征在于:在1550nm工作波段,所述少模纤芯(1)支持2个线偏振模式,包含基模在内的各个模式的有效面积不低于500μm2。
10.根据权利要求1所述的大模场抗弯多芯少模光纤,其特征在于:少模纤芯(1)内所有模式的光信号在1550nm窗口的传输损耗均不大于0.25 dB/km。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于烽火通信科技股份有限公司;烽火藤仓光纤科技有限公司,未经烽火通信科技股份有限公司;烽火藤仓光纤科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010247474.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。