[发明专利]一种用于存储器或存内计算的阵列单元结构及其工作方法

权利要求书

1.一种用于存储器或存内计算的阵列单元结构工作方法，其特征在于，具体步骤如下：

第一晶体管的栅极连接字线，源极连接源线，漏极与电阻变化特性器件的一端相连接，所述电阻变化特性器件的另一端连接位线，

第二晶体管选用NMOS，其源极连接地线，栅极连接第一晶体管的漏极，漏极连接计算位线，

当源线电压大于位线电压时，若所述电阻变化特性器件为高阻，则所述第二晶体管的栅极电压为高电压，此时所述第二晶体管能够开启，并将计算位线抽取或注入一部分电流；若所述电阻变化特性器件为低阻，则所述第二晶体管的栅极电压为低电压，此时所述第二晶体管无法开启，从而抵抗低阻态波动，

当源线电压小于位线电压时，若所述电阻变化特性器件为低阻，则所述第二晶体管的栅极电压为高电压，此时所述第二晶体管能够开启，并将计算位线抽取或注入一部分电流；若所述电阻变化特性器件为高阻，则所述第二晶体管的栅极电压为低电压，此时所述第二晶体管无法开启，从而抵抗高阻态波动。

2.一种用于存储器或存内计算的阵列单元结构工作方法，其特征在于，具体步骤如下：

第一晶体管的栅极连接字线，源极连接源线，漏极与电阻变化特性器件的一端相连接，所述电阻变化特性器件的另一端连接位线，

第二晶体管选用NMOS，其源极连接计算源线，栅极连接第一晶体管的漏极，漏极连接计算位线，

当源线电压大于位线电压时，若所述电阻变化特性器件为低阻，则所述第二晶体管的栅极电压为低电压，此时无论计算源线为高电压还是低电压，所述第二晶体管无法开启，从而抵抗低阻态波动；若所述电阻变化特性器件为高阻，则所述第二晶体管的栅极电压为高电压，此时当计算源线或者计算位线为低电压时，所述第二晶体管能够开启，将计算位线电流抽取或者注入，从而实现存内计算

当源线电压小于位线电压时，若所述电阻变化特性器件为高阻，则所述第二晶体管的栅极电压为低电压，此时无论计算源线为高电压还是低电压，所述第二晶体管无法开启，从而抵抗高阻态波动；若所述电阻变化特性器件为低阻，则所述第二晶体管的栅极电压为高电压，此时当计算源线或者计算位线为低电压时，所述第二晶体管能够开启，将计算位线电流抽取或者注入，从而实现存内计算。

3.一种用于存储器或存内计算的阵列单元结构工作方法，其特征在于，具体步骤如下：

第一晶体管的栅极连接字线，源极连接源线，漏极与电阻变化特性器件的一端相连接，所述电阻变化特性器件的另一端连接位线，

第二晶体管选用PMOS，其源极连接电源线，栅极连接第一晶体管的漏极，漏极连接计算位线，

当源线电压大于位线电压时，若所述电阻变化特性器件为低阻，则所述第二晶体管的栅极电压为低电压，此时所述第二晶体管能够开启，并将计算位线抽取或者注入一部分电流；若所述电阻变化特性器件为高阻，则所述第二晶体管的栅极电压为高电压，此时所述第二晶体管无法开启，从而抵抗高阻态波动，

当源线电压小于位线电压时，若所述电阻变化特性器件为高阻，则所述第二晶体管的栅极电压为低电压，所述第二晶体管能够开启，并将计算位线抽取或者注入一部分电流；若所述电阻变化特性器件为低阻，则所述第二晶体管的栅极电压为高电压，所述第二晶体管无法开启，从而抵抗低阻态波动。