[发明专利]电极的制备方法

权利要求书

1.一种电极的制备方法，其特征在于，所述方法应用于MEMS传感器的电极的制备，所述方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次形成第一氧化层、非晶硅层、金属层和介电抗反射层；

进行第一次刻蚀，去除目标区域的介电抗反射层和所述目标区域中预定深度的金属层，形成第一通孔，所述目标区域是不需要形成电极的区域；

进行第二次刻蚀，减薄介电抗反射层和暴露的金属层，形成第二通孔；

进行第三次刻蚀，去除所述目标区域的金属层，使所述非晶硅层暴露；

在暴露的所述介电抗反射层、所述非晶硅层的表面形成第二氧化层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述进行第一次刻蚀，去除目标区域的介电抗反射层和所述目标区域中预定深度的金属层，包括：

在所述介电抗反射层的表面覆盖光阻；

对所述目标区域的光阻进行曝光、显影后，去除所述目标区域的光阻；

通过干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺进行所述第一次刻蚀，去除所述目标区域的介电抗反射层和目标区域中预定深度的金属层；

清除剩余的光阻。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述进行第二次刻蚀，减薄介电抗反射层和暴露的金属层，包括：

通过干法刻蚀工艺进行所述第二次刻蚀，减薄介电抗反射层和暴露的金属层。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第二次刻蚀的厚度为10埃至200埃。

5.根据权利要求1至4任一所述的制备方法，其特征在于，所述进行第三次刻蚀，去除所述目标区域的金属层，包括：

通过湿法刻蚀工艺进行所述第三次刻蚀，去除所述目标区域的金属层。

6.根据权利要求1至4任一所述的制备方法，其特征在于，所述介电抗反射层包括氮氧化硅和硅氧化物。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述金属层包括钛和氮化钛。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述金属层包括依次交叠形成的钛层和氮化钛层。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第一氧化层和所述第二氧化层包括硅氧化物。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述衬底包括硅衬底，或，所述衬底包括上表面形成有硅氧化物的硅衬底，或，所述衬底包括上表面形成有非晶硅层的硅衬底。