[发明专利]芯片的测试方法、设备和存储介质

说明书

本申请公开了一种芯片的测试方法、设备和存储介质，包括：在预存的品种参数中调用目标晶圆对应的探针走向，探针走向是基于样品晶圆的烧针位置，对烧针位置进行规避的走向；根据目标晶圆对应的探针走向，移动探针对目标晶圆上的每一个需要测试的芯片进行测试；根据测试结果绘制目标晶圆的测试结果图。本申请通过测试设备在对目标晶圆的测试过程中，调用品种参数中目标晶圆对应的探针走向，根据探针走向控制探针移动对目标晶圆进行测试，由于探针走向是基于样品晶圆的烧针位置对烧针位置进行规避的走向，因此能够降低对目标晶圆进行测试的过程中产生烧针问题的几率，从而在一定程度上提高了芯片的制造效率。

技术领域

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种芯片的测试方法、设备和存储介质。

背景技术

在半导体集成电路制造业中，芯片测试是对晶圆上集成的芯片(Die)进行的电学参数测试，通过测试能够将制造过程总产生的残次品或者性能不合格的产品挑选出来，同时，通过测试能够检测晶圆的一致性和良率。

随着半导体集成电路制造业技术的不断进步，半导体器件的工艺尺寸越来越小，芯片面积也越来越小，在相同尺寸的晶圆上集成的芯片的数量也在不断地增加，因此，对于芯片测试来说，由于单位面积上芯片数量的增多，导致了测试效率的降低。鉴于此，相关技术中提出了对多个晶圆进行同时测试(以下简称为“同测”)的方法以提高芯片的测试效率。

在芯片，尤其是绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)芯片的同测过程中，由于IGBT具有电压高，电流大等特点，有很大的几率出现测试探针(Probe)的“烧针”问题，轻则会导致探针变蓝氧化，重则导致探针针尖先端被烧黑。烧针问题不仅仅会损坏探针，还有很大的几率会烧坏芯片产品，从而对芯片的制造效率和良率造成影响。

发明内容

本申请提供了一种芯片的测试方法、设备和存储介质，可以解决相关技术中提供的晶圆的测试方法由于烧针问题所导致的芯片的制造效率和良率较低的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种芯片的测试方法，包括：

在品种参数中调用目标晶圆对应的探针走向，所述探针走向是基于样品晶圆的烧针位置，对所述烧针位置进行规避的走向；

根据所述目标晶圆对应的探针走向，移动所述探针对所述目标晶圆上的每一个需要测试的芯片进行测试；

根据所述测试结果绘制所述目标晶圆的测试结果图，所述测试结果图包括所述目标晶圆中每一个需要测试的芯片的测试结果。

可选的，所述在品种参数中调用目标晶圆对应的探针走向之前，还包括：

根据预存的探针走向，移动所述探针对所述样品晶圆进行测试；

当出现烧针问题时，记录所述样品晶圆上的烧针位置；

根据所述烧针位置对所述预存的探针走向进行更新，得到所述探针走向。

可选的，所述根据所述烧针位置对所述预存的探针走向进行更新，包括：

当出现所述烧针问题时，去除所述预存的探针走向中的所述烧针位置。

可选的，所述根据所述烧针位置对所述预存的探针走向进行更新，包括：

当完成对所述样品晶圆中的每一个芯片的测试后，统计所述样品晶圆上的全部烧针位置；

去除所述预存的探针走向中的所述全部烧针位置。

可选的，所述根据所述目标晶圆对应的探针走向，移动所述探针对所述目标晶圆上的每一个需要测试的芯片进行测试，还包括：

当出现烧针问题时，记录所述目标晶圆中的烧针位置；