[发明专利]一种直拉单晶电池、铸造单晶电池、多晶电池的分档方法在审
申请号: | 202010248731.3 | 申请日: | 2020-04-01 |
公开(公告)号: | CN113497162A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 尹翠哲 | 申请(专利权)人: | 尹翠哲 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 051230 河北省石家*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 直拉单晶 电池 铸造 多晶 分档 方法 | ||
本发明专利公开了一种直拉单晶电池、铸造单晶电池、多晶电池的分档方法,包括以下步骤:将直拉单晶电池、铸造单晶电池或多晶电池整片切成半片电池或者小窄片电池;将半片或者小窄片电池按照光电转换效率分档;分别将光电转换效率在同档位的半片电池或者小窄片电池按照工作电流进行分档;将光电转换效率在同档位、工作电流也在同档位的半片或小窄片电池封装在同一块组件中,得到半片组件、叠瓦组件或拼片组件。本发明降低了组件的封装损耗,提高了组件的功率。
技术领域
本发明涉及光伏制造领域,尤其涉及一种直拉单晶电池、铸造单晶电池或多晶电池的分档方法。
背景技术
直拉单晶电池、铸造单晶电池或多晶电池封装成组件后存在一定的功率损失,组件高功率一直是光伏发电行业追求目标,近几年来半片组件、拼片组件、叠瓦组件兴起,提高了组件的功率。目前产线还是采用传统的直拉单晶电池、铸造单晶电池或多晶电池分档方式,方法1:拿完整片电池先按照效率分档,再按照工作电流分档,然后把完整片电池进切成半片或者多个小窄片,最后封装成组件;方法2:拿整片电池先按照工作电流分档,再按照效率分档,然后把整片电池进切成半片或者多个窄片,最后封装成组件。上述方式默认了完整电池片的各部分的工作电流、光电转换效率电性能一致,但是实际上完整电池片的各部分的工作电流、光电转换效率存在一定的差异,即完整电池片切成两个半片后,两个半片的工作电流、光电转换效率并不一样,将这两个半片封装在同一块组件中,会造成较大封装损耗,降低了组件的功率。如图1所示是铸造单晶硅片PL照片,将此铸造单晶硅片制成电池片以后,沿图中黑色线将其切成两个半片,左边半片中有较多黑色团状晶体缺陷,右边半片无团状晶体缺陷,因此左半片比右半片光电转换效率低;如图2所示是多晶硅硅片PL图,将此多晶硅片制成电池片以后,沿图中黑色线将其切成两个半片,左边半片中因为有较多的金属杂质所以颜色较深,右边半片无金属杂质所以颜色较亮,因此左半片比右半片光电转换效率低;在电池片制备过程的制绒和扩散等环节也会导致同一张电池片中各部分光电转换效率、电流等电性能参数不一致。
本发明提供了一种直拉单晶电池、铸造单晶电池或多晶电池的分档方法,采用此方法后,可以减小半片组件、拼片组件、叠瓦组件的封装损耗,提高组件的功率。
发明内容
本发明的目的是:提供一种直拉单晶电池、铸造单晶电池或多晶电池的分档方法,方法1包括以下步骤:
步骤a 将直拉单晶电池、铸造单晶电池或多晶电池整片切成半片电池或者小窄片电池。
步骤b 将半片或者小窄片电池按照光电转换效率分档。
步骤c 分别将光电转换效率在同档位的半片电池或者小窄片电池按照工作电流进行分档。
步骤d 将光电转换效率在同档位、工作电流也在同档位的半片或小窄片电池封装在同一块组件中,得到半片组件、叠瓦组件或拼片组件。
方法2包括以下步骤:
步骤a 将直拉单晶电池、铸造单晶电池或多晶电池整片切成半片电池或者小窄片电池。
步骤b 将半片或者小窄片电池按照工作电流进行分档。
步骤c 分别将工作电流在同档位的半片电池或者小窄片电池按照光电转换效率进行分档。
步骤d 将光电转换效率在同档位、工作电流也在同档位的半片或小窄片电池封装在同一块组件中,得到半片组件、叠瓦组件或拼片组件。
本发明提供的生产铸造单晶时籽晶层保护方法具有以下有益效果:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于尹翠哲,未经尹翠哲许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010248731.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的