[发明专利]片式电子组件

权利要求书

1.一种片式电子组件，包括：

磁性主体，包括绝缘基板；

线圈图案部，设置在所述绝缘基板的至少一个表面上；

薄的聚合物绝缘膜，包括竖直部分和顶部分，所述竖直部分自所述绝缘基板包覆在所述线圈图案部的侧表面上，并且均具有1μm至3μm的厚度，所述顶部分连接所述竖直部分，具有1μm至3μm的厚度，并且包覆在所述线圈图案部的连接所述线圈图案部的所述侧表面的顶表面上；以及

外电极，设置在所述磁性主体的至少一个端表面上并且连接到所述线圈图案部，

其中，所述薄的聚合物绝缘膜的表面的形状与所述线圈图案部的表面的形状随形，

其中，所述磁性主体包括磁性材料，所述磁性材料填充所述薄的聚合物绝缘膜的竖直部分之间的空间并且填埋所述线圈图案部。

2.如权利要求1所述的片式电子组件，其中，所述薄的聚合物绝缘膜具有1μm或更小的厚度偏差，所述厚度偏差被定义为包覆在相应线圈图案上的所述薄的聚合物绝缘膜的最厚部分与最薄部分之间的差。

3.如权利要求1所述的片式电子组件，其中，所述薄的聚合物绝缘膜包括从由聚对苯二亚甲基、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、苯氧基树脂、聚砜树脂和聚碳酸酯树脂组成的组中选择的至少一种。

4.如权利要求1所述的片式电子组件，其中，所述薄的聚合物绝缘膜的所述顶部分具有弧形形状，

其中，所述薄的聚合物绝缘膜通过化学气相沉积来形成或通过使用具有低粘度的聚合物涂覆溶液的浸渍法来形成。

5.如权利要求1所述的片式电子组件，其中，所述磁性主体包含Fe-Si-B-Cr基非晶金属粉末。

6.如权利要求1所述的片式电子组件，其中，所述线圈图案部的线圈部分之间的距离为3μm至15μm。

7.一种片式电子组件，包括：

磁性主体，包括绝缘基板；

线圈图案部，形成在所述绝缘基板的至少一个表面上，所述线圈图案部包括多个线圈部分；

薄的聚合物绝缘膜，包括竖直部分和顶部分，所述竖直部分自所述绝缘基板包覆在所述线圈图案部的侧表面上，并且均具有1μm至3μm的厚度，所述顶部分连接所述竖直部分，具有1μm至3μm的厚度，并且包覆在所述线圈图案部的连接所述线圈图案部的所述侧表面的顶表面上；以及

外电极，形成在所述磁性主体的至少一个端表面上并且连接到所述线圈图案部，

其中，所述薄的聚合物绝缘膜的所述顶部分具有弧形形状，并且所述薄的聚合物绝缘膜的表面的形状与所述线圈图案部的表面的形状随形。

8.如权利要求7所述的片式电子组件，其中，只有所述薄的聚合物绝缘膜形成在所述线圈图案部的所述线圈部分之间的区域中。

9.如权利要求7所述的片式电子组件，其中：

所述线圈图案部的线圈部分之间的区域填充有磁性材料，使得所述线圈图案部的所述线圈部分之间的距离为3μm至15μm。

10.如权利要求7所述的片式电子组件，其中，所述薄的聚合物绝缘膜具有1μm或更小的厚度偏差，所述厚度偏差被定义为包覆在相应线圈图案上的所述薄的聚合物绝缘膜的最厚部分与最薄部分之间的差。

11.如权利要求7所述的片式电子组件，其中，所述薄的聚合物绝缘膜包括从由聚对苯二亚甲基、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、苯氧基树脂、聚砜树脂和聚碳酸酯树脂组成的组中选择的至少一种。

12.如权利要求7所述的片式电子组件，其中，所述磁性主体包含Fe-Si-B-Cr基非晶金属粉末。