[发明专利]具有散热结构的高电阻晶片及其制作方法

说明书

本发明公开一种具有散热结构的高电阻晶片及其制作方法，其中该具有散热结构的高电阻晶片包含一高电阻晶片以及一金属结构，高电阻晶片分为一散热结构区和一元件承载区，高电阻晶片由一绝缘材料组成，金属结构仅埋入于高电阻晶片的散热结构区，其中金属结构环绕元件承载区。

本申请是中国发明专利申请(申请号：201811105431.9，申请日：2018年09月21日，发明名称：具有散热结构的高电阻晶片及其制作方法)的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种协助半导体结构的散热的结构和方法，特别是涉及利用金属结构散热或是利用晶背导电垫散热的结构和方法。

背景技术

在集成电路制作工艺方面，硅覆绝缘基底越来越受到重视，特别是在射频电路的应用方面，射频硅覆绝缘基底(RF-SOI)的应用越来越广泛，已经有逐步取代传统的外延硅的趋势。

目前，硅覆绝缘基底搭配射频技术主要应用于智能型手机、Wi-Fi等无线通讯领域，3G/4G手机用的射频器件，目前大部分已经从传统的化合物半导体升级到射频硅覆绝缘基底技术。

硅覆绝缘基底是指在硅基底上形成绝缘体的意思，原理就是在硅基底内，加入绝缘体物质，以进行阻抗值的调整，达到射频元件特性的提升。现今手机将步入5G的世代，射频硅覆绝缘基底的电阻值需要更加提升，然而电阻值提升之后，在操作时容易造成芯片过热，使得射频元件发生问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种用于高电阻晶片的散热结构，来解决上述问题。

根据本发明的一优选实施例，一种具有散热结构的高电阻晶片包含一高电阻晶片，高电阻晶片分为一散热结构区和一元件承载区，高电阻晶片由一绝缘材料组成，一金属结构仅埋入于高电阻晶片的散热结构区，其中金属结构环绕元件承载区。

根据本发明的另一优选实施例，一种利用晶背导电垫散热的半导体结构包含一元件晶片，元件晶片包含一正面和一背面，一晶体管设置于正面，其中晶体管包含至少一栅极结构、一源极和一漏极，至少一散热结构设置于背面，其中散热结构包含：一源极导电垫和源极重叠并且电连接源极以及一高电阻晶片接合元件晶片，其中高电阻晶片由一绝缘材料组成。

根据本发明的另一优选实施例，一种具有散热结构的半导体结构的制作方法，包含提供一元件晶片和一高电阻晶片，其中高电阻晶片由一绝缘材料组成，元件晶片包含一元件区和一边缘区，一半导体元件设置于元件区，高电阻晶片包含一散热结构区和一元件承载区，其中散热结构区环绕元件承载区，接着形成一金属结构埋入高电阻晶片，金属结构仅位于散热结构区中，在形成金属结构后，进行一接合步骤，将元件晶片和该高电阻晶片接合，使得元件区和元件承载区完全重叠。

为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举优选实施方式，并配合所附的附图，作详细说明如下。然而如下的优选实施方式与附图仅供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制者。

附图说明

图1至图9为本发明的一优选实施例所绘示的一种具有散热结构的半导体结构的制作方法的示意图，其中：

图1是元件晶片和高电阻晶片；

图2为图1中的元件晶片和高电阻晶片的上视图；

图3为接续图5的步骤的侧视图；

图4为图3的上视图；

图5为接续图1的步骤的侧视图；

图6为本发明的另一优选实施例所绘示的封闭环状金属条或环状结构的侧视图；

图7为图6的上视图；

图8为接续图3的步骤的侧视图；以及

图9为接续图8的步骤的侧视图；