[发明专利]光掩模、制造光掩模的方法与使用光掩模制造半导体结构的方法

说明书

本发明实施例涉及光掩模、制造光掩模的方法与使用光掩模制造半导体结构的方法。本发明实施例涉及一种光掩模，其包含：前侧，其具有图案化层；后侧，其与所述前侧相对；侧壁，其连接所述前侧与所述后侧；反射层，其在所述前侧与所述后侧之间；及聚合物层，其在所述光掩模的所述后侧上。

技术领域

本发明实施例涉及光掩模、制造光掩模的方法与使用光掩模制造半导体结构的方法。

背景技术

在半导体工业中，存在朝向更高装置密度的趋势。为了实现此更高密度，需要更小特征。此类要求可能涉及按比例缩小装置的几何形状以实现更低制造成本、更高装置整合密度、更高速度及更好性能。除几何形状减小的优点以外，还改进半导体装置。

随着半导体工业不断演进，先进光刻技术已广泛用于集成电路制造操作中。光刻操作可包含与在晶片上涂布光致抗蚀剂层且将晶片暴露于曝光源有关的技术。

掩模可用于半导体制造操作中以将预定图案转印到衬底上。例如，在衬底上方形成层之后，可通过掩模将所述层暴露于光化辐射，因此可通过后续显影形成图案。

发明内容

本发明的实施例涉及一种光掩模，其包括：前侧，其具有图案化层；后侧，其与所述前侧相对；侧壁，其连接所述前侧及所述后侧；反射层，其在所述前侧与所述后侧之间；及聚合物层，其在所述光掩模的所述后侧上。

本发明的实施例涉及一种用于极紫外线(EUV)光掩模的保护层，其包括：粘合层；热塑性层，其在所述粘合层上方；疏水层，其在所述热塑性层上方；其中所述热塑性层包括在从约50摄氏度到60摄氏度的范围内的结晶-非结晶转换温度。

本发明的实施例涉及一种用于制造光掩模的方法，其包括：提供光掩模，其包括衬底、反射层及图案化层；在所述光掩模的衬底侧处形成保护层，其中所述保护层包括附接到所述光掩模的衬底侧的粘合层。

附图说明

当结合附图阅读时，从下文详细描述最好地理解本发明实施例的方面。应注意，根据标准工业实践，各种构件未必按比例绘制。事实上，为清楚论述起见，可任意地增大或减小各种构件的尺寸。

图1是根据本发明的一些实施例的光掩模及卡盘的前透视图。

图2是根据本发明的一些实施例的光掩模及卡盘的剖面图。

图3是根据本发明的一些实施例的光掩模的透视图。

图4是展示根据本发明的一些实施例的保护层的分层结构的示意图。

图5是展示根据本发明的一些实施例的保护层的热塑性聚合物层的两种状态的示意图。

图6展示表示根据本发明的一些实施例的制造光掩模的方法的流程图。

图7是根据本发明的一些实施例的在制造操作的中间阶段期间的光掩模的前透视图。

图8A是根据本发明的一些实施例的在制造操作的中间阶段期间的光掩模的前透视图。

图8B是根据本发明的的一些实施例的在制造操作的中间阶段期间的光掩模的前透视图。

图9展示表示根据本发明的一些实施例的制造集成电路的方法的流程图。

图10是展示根据本发明的一些实施例的在光刻操作的中间阶段期间的设备的示意图。

图11是展示根据本发明的一些实施例的在光刻操作的中间阶段期间的设备的示意图。

具体实施方式