[发明专利]读写方法及存储器装置有效

专利信息
申请号: 202010249668.5 申请日: 2020-04-01
公开(公告)号: CN113495671B 公开(公告)日: 2023-10-17
发明(设计)人: 寗树梁 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F11/10;G06F12/0802;G06F12/0882
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤;高翠花
地址: 230001 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 读写 方法 存储器 装置
【说明书】:

发明提供一种读写方法及存储器装置,所述读写方法包括对存储器装置施加读命令,所述读命令指向地址信息,从所述读命令所指向的地址信息对应的存储单元中读取待读出数据,若所述待读出数据发生错误,则将所述读命令所指向的地址信息标记为无效。本发明读写方法在用户对存储器装置执行读写操作时将所述存储单元的地址信息进行标记,以将有效的存储单元与失效的存储单元进行实时区分,避免数据错误或者数据丢失,大大提高了存储器装置的可靠性及寿命。

技术领域

本发明涉及半导体存储领域,尤其涉及一种读写方法及存储器装置。

背景技术

半导体存储器是用来存储各种数据信息的记忆部件。随着电路复杂度的提升,各种形式的存储器在制造上或者使用过程中无可避免地容易产生不良或受损的存储单元,导致半导体存储器可靠度降低。

因此,如何避免上述情况发生,成为目前亟需解决的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是,提供一种读写方法及存储器装置,其能够大大提高存储器装置的可靠性及寿命。

本发明提供一种读写方法,其包括,对存储器装置施加读命令,所述读命令指向一地址信息,从所述读命令所指向的地址信息对应的存储单元中读取待读出数据,若所述待读出数据发生错误,则将所述读命令所指向的地址信息标记为无效。

进一步,若所述待读出数据没有发生错误,则将所述读命令所指向的地址信息标记为有效。

进一步,未被标记为无效的地址信息,其初始设置为有效。

进一步,从所述读命令所指向的地址信息对应的存储单元中读取待读出数据的步骤还包括:从所述读命令所指向的地址信息对应的存储单元中读取与所述待读出数据对应的第一ECC编码;判断所述待读出数据是否发生错误的方法包括:对所述第一ECC编码进行解码,以判断所述待读出数据是否发生错误。

进一步,提供一查找表,所述查找表记录有所述存储单元的地址信息及其初始标记,若所述待读出数据发生错误,则在查找表中将所述读命令所指向的地址信息的初始标记修改为无效。

进一步,所述初始标记包括有效或者无效。

进一步,对所述存储器装置施加写命令,若所述写命令所指向的地址信息的标记为有效,则对所述写命令所指向的地址信息对应的存储单元执行写操作,若所述写命令所指向的地址信息的标记为无效,则停止对所述写命令所指向的地址信息对应的存储单元执行写操作。

进一步,对存储器装置施加写命令时,以所述写命令所指向的地址信息为索引,在所述查找表中查找所述标记。

进一步,在停止对所述写命令所指向的地址信息对应的存储单元执行写操作的步骤之后还包括如下步骤:将所述写命令所指向的地址信息改变为另一地址信息。

进一步,将所述写命令所指向的地址信息改变为另一地址信息的步骤之后还包括如下步骤:判断所述另一地址信息是否有效。

进一步,对所述写命令所指向的地址信息对应的存储单元执行写操作的步骤进一步包括:形成与所述写操作中待写入数据对应的第二ECC编码,并将其与所述待写入数据一并写入所述写命令所指向的地址信息对应的存储单元中。

进一步,在所述对存储器装置施加读命令之后,在所述从所述读命令所指向的地址信息对应的存储单元中读取待读出数据之前,还包括:判断所述读命令所指向的地址信息是否有效,若所述读命令所指向的地址信息有效,则对所述读命令所指向的地址信息对应的存储单元执行读操作。

进一步,若所述读命令所指向的地址信息无效,则判断将所述读命令所指向的地址信息标记为无效之后是否对所述读命令所指向的地址信息执行过写命令,若是,则将该读命令指向所述写命令指向的地址信息,以对其对应的存储单元执行读操作。

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