[发明专利]包含搜索逻辑的存储器和用于在所述存储器内执行搜索的方法

说明书

本申请案涉及一种包含搜索逻辑的存储器和一种用于在存储器内执行搜索的方法。一种存储器包含包括多个页的存储器阵列、页缓冲器和搜索逻辑。页缓冲器包含第一寄存器、第二寄存器、比较逻辑和第三寄存器。第一寄存器存储从存储器阵列的页读取的数据。第二寄存器存储用户模式。比较逻辑将存储在第一寄存器中的数据与存储在第二寄存器中的用户模式进行比较。第三寄存器存储比较结果。搜索逻辑经配置以识别存储器阵列的其中存储在第三寄存器中的比较结果指示从存储器阵列的页和列读取的数据与用户模式之间的匹配的地址。与搜索逻辑识别指示存储器阵列的前一页中的匹配的地址同时地，用来自存储器阵列的下一页的数据加载第一寄存器。

技术领域

本发明一般来说涉及存储器，且更特定来说，在一或多个实施例中，本发明涉及用于搜索存储器阵列的设备和方法。

背景技术

存储器装置通常经提供作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路装置。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)及快闪存储器。

快闪存储器装置已发展成用于各种各样的电子应用的非易失性存储器的普遍来源。快闪存储器装置通常使用允许高存储器密度、高可靠性和低电力消耗的单一晶体管存储器单元。经由电荷存储结构(例如，浮动栅极或电荷陷阱)的编程(其通常称为写入)或其它物理现象(例如，相变或极化)，所述存储器单元的阈值电压的改变确定每一单元的数据值。快闪存储器的常见用途包含个人计算机、平板计算机、数码相机、数字媒体播放器、蜂窝式电话、固态驱动器和可移动存储器模块，且所述用途正成长。

NAND快闪存储器为快闪存储器装置的常见类型，因此被称为在其中布置基本存储器单元配置的逻辑形式。通常，NAND快闪存储器的存储器单元阵列经布置使得阵列的行的每一存储器单元的控制栅极连接在一起以形成存取线(例如，字线)。阵列的列包含在一对选择门(例如，源极选择晶体管和漏极选择晶体管)之间串联连接在一起的存储器单元串(通常称为NAND串)。每一源极选择晶体管可连接到源极，而每一漏极选择晶体管可连接到数据线(例如，列位线)。已知在存储器单元串与源极之间和/或在存储器单元串与数据线之间使用一个以上选择门的变化形式。

由于越来越多地使用人工智能和机器学习，因此使用实时模式辨识的应用程序正在增加，例如人脸辨识应用程序、车牌搜索应用程序等。此些应用程序可需要大量存储器(例如，大于1TB)来存储可与模式进行比较的数据库。另外，此些应用程序可需要快速识别匹配。NAND快闪存储器可提供大的存储容量，然而，由于NAND快闪存储器的延时和输入/输出(I/O)速度，因此搜索NAND快闪存储器可是慢的。

出于上文所陈述的原因，且出于下文所陈述的所属领域的技术人员在阅读并理解本说明书之后将变得明了的其它原因，此项技术中需要用于搜索存储器的替代方法。

发明内容

本发明的一些实施例提供一种存储器，所述存储器包含：存储器阵列，其包括多个页；页缓冲器，其包括：第一寄存器，其用以存储从所述存储器阵列的页读取的数据；第二寄存器，其用以存储用户模式；比较逻辑，其用以将存储在所述第一寄存器中的所述数据与存储在所述第二寄存器中的所述用户模式进行比较；及第三寄存器，其用以存储比较结果。所述存储器进一步包含搜索逻辑，其经配置以识别所述存储器阵列的其中存储在所述第三寄存器中的所述比较结果指示从所述存储器阵列的所述页和列读取的所述数据与所述用户模式之间的匹配的地址。与所述搜索逻辑识别指示所述存储器阵列的前一页中的匹配的地址同时地，用来自所述存储器阵列的下一页的数据加载所述第一寄存器。