[发明专利]读写方法及存储器装置

说明书

本发明提供一种读写方法及存储器装置，读写方法为：对存储器装置施加读命令，读命令指向地址信息，从读命令所指向的地址信息对应的存储单元中读取待读出数据，若待读出数据发生错误，则将读命令所指向的地址信息与备用存储单元关联，并将读命令所指向的地址信息及其与备用存储单元的关联信息按预设规则备份在非易失性存储单元中。本发明将发生数据错误的存储单元实时地区分出，并采用备用存储单元替换，大大提高存储器装置可靠性，并延长寿命。同时，将读命令所指向的地址信息及其与备用存储单元的关联信息备份在非易失性存储单元，作为后续读写操作依据，大大提高了存储器装置运行速度。

技术领域

本发明涉及半导体存储领域，尤其涉及一种读写方法及存储器装置。

背景技术

半导体存储器是用来存储各种数据信息的记忆部件。随着电路复杂度的提升，各种形式的存储器装置在制造上或者使用过程中无可避免地容易产生不良或受损的存储单元，导致半导体存储器装置可靠度降低，寿命减少。

因此，如何提高存储器装置的可靠性及延长所述存储器装置的寿命，成为目前亟需解决的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种读写方法及存储器装置，其能够大大提高存储器装置的可靠性，并延长存储器装置的寿命。

本发明提供一种读写方法，对存储器装置施加读命令，所述读命令指向地址信息，从所述读命令所指向的地址信息对应的存储单元中读取待读出数据，若所述待读出数据发生错误，则将所述读命令所指向的地址信息与备用存储单元关联，并将所述读命令所指向的地址信息及其与备用存储单元的关联信息按预设规则备份在非易失性存储单元中。

进一步，所述预设规则为预设周期或者预设动作。

进一步，所述读写方法还包括如下步骤：在所述储存器装置开启后，自所述非易失性存储单元中载入地址信息及其与备用存储单元的关联信息。

进一步，所述读写方法还包括如下步骤：生成用于标识所述备用存储单元的识别码，所述读命令所指向的地址信息通过所述识别码与所述备用存储单元关联。

进一步，所述读写方法还包括如下步骤：若所述待读出数据发生错误，则将所述读命令所指向的地址信息标记为无效，并将所述无效的标记按所述预设规则备份在所述非易失性存储单元中，在所述储存器装置开启后，自所述非易失性存储单元中载入所述无效的标记。

进一步，若所述待读出数据没有发生错误，则将所述读命令所指向的地址信息标记为有效，并将所述有效的标记按所述预设规则备份在所述非易失性存储单元中，在所述储存器装置开启后，自所述非易失性存储单元中载入所述有效的标记。

进一步，未被标记为无效的地址信息，其初始设置为有效，并将所述有效的标记按所述预设规则备份在所述非易失性存储单元中，在所述储存器装置开启后，自所述非易失性存储单元中载入所述有效的标记。

进一步，从所述读命令所指向的地址信息对应的存储单元中读取待读出数据的步骤还包括：从所述读命令所指向的地址信息对应的存储单元中读取与所述待读出数据对应的第一ECC编码；判断所述待读出数据是否发生错误的方法包括：对所述第一ECC编码进行解码，以判断所述待读出数据是否发生错误。

进一步，提供查找表，所述查找表记录有所述存储单元的地址信息及与所述地址信息对应的数值码，所述数值码由第一类型码及第二类型码组成，所述第一类型码用于标记所述地址信息是否有效，所述第二类型码用于记录所述备用存储单元的识别码，若所述待读出数据发生错误，则在查找表中将所述读命令所指向的地址信息对应的数值码的第一类码修改为无效标记值，将所述第二类型码修改为用于标识备用存储单元的识别码。

进一步，所述读写方法还包括如下步骤：记录所述第二类型码的修改次数，并根据所述修改次数生成对应的识别码。