[发明专利]一种双频微波制备颗粒状碳化硅的方法在审
申请号: | 202010250363.6 | 申请日: | 2020-04-01 |
公开(公告)号: | CN111762785A | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 张锐;张新月;高前程;樊磊;关莉;范冰冰;王海龙;孙华振;黄京洋;冯泽琦 | 申请(专利权)人: | 郑州航空工业管理学院 |
主分类号: | C01B32/977 | 分类号: | C01B32/977;C01B32/97;B82Y30/00 |
代理公司: | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人: | 郭佳效 |
地址: | 450000 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双频 微波 制备 颗粒状 碳化硅 方法 | ||
本发明涉及一种双频微波制备颗粒状碳化硅的方法,属于碳化硅制备技术领域。本发明的双频微波制备颗粒状碳化硅的方法,包括以下步骤:(1)碳和正硅酸乙酯经溶胶‑凝胶法得到二氧化硅包裹碳的前驱体,前驱体经压制形成坯体;(2)将坯体包埋在石英砂中,利用双频微波同时进行微波烧结,得到颗粒状碳化硅;所述双频微波的两个频率分别为2450MHz和915MHz。该方法利用碳优良的吸波性能,采用双频微波的方式,不仅能够提高加热效率,更容易控制碳化硅生长的形貌,实现了SiC晶体的快速合成,得到结晶良好的碳化硅颗粒,提高了制备效率;且双频微波制得的碳化硅的晶体结晶度好,缺陷少,晶体产量高,颗粒大小均匀,质量更均一。
技术领域
本发明涉及一种双频微波制备颗粒状碳化硅的方法,属于碳化硅制备技术领域。
背景技术
SiC材料具有十分优良的性能,属于常用的结构材料,SiC的强度高、硬度大、弹性模量高、化学稳定性好,被广泛应用作磨料磨具、耐火材料、冶金、高温结构陶瓷及多种复合材料的增强材料。另外,由于SiC较宽的能带间隙,可以用作新一代高功率、高频率半导体材料,广泛用于光催化、储氢、场效应晶体管、原子探针以及高端军事领域。SiC作为一种性能优越的结构功能一体化材料,用途广泛,对其需求量较大。
目前,SiC的制备方法主要是在2700℃的高温下连续烧结3-4天制备得到,这种方法需要消耗大量能源,且时间较长。因此,探究更加节能高效的碳化硅制备工艺具有非常重要的意义。
发明内容
本发明的目的在于提供一种双频微波制备颗粒状碳化硅的方法,该方法工艺简单,操作简便,生产周期短,能耗低,易实施,制得的碳化硅颗粒大小均匀。
本发明的技术方案如下:
一种双频微波制备颗粒状碳化硅的方法,包括以下步骤:
(1)碳和正硅酸乙酯经溶胶-凝胶法得到二氧化硅包裹碳的前驱体,前驱体经压制形成坯体;
(2)将步骤(1)得到的坯体包埋在石英砂中,利用双频微波同时进行微波烧结,得到颗粒状碳化硅;
所述双频微波的两个频率分别为2450MHz和915MHz。
本发明的双频微波制备颗粒状碳化硅的方法以微波作为加热源,微波具有加热速度快、效率高和节约能源的优点;且微波加热时加热均匀,微波加热属于均匀体积加热,可使材料结构均匀,有利于改善材料性能。微波加热的基本原理是材料自身介质损耗与微波发生耦合作用,从而发热。发热效率与微波频率、材料的分子极性等密切相关。微波烧结是利用材料自身的介电损耗来完成材料烧结的,相比于传统工业加热方法,具有能实现体积加热、污染少、烧结周期短、能耗低等优点;微波合成材料相比传统的合成方法污染少,节约能源。该方法工艺简单,操作方便,适合工业化快速生产,具有广阔的应用前景。
本发明的双频微波制备颗粒状碳化硅的方法,用碳和正硅酸乙酯制成二氧化硅包裹碳的前驱体,压制成坯体,再将坯体包埋在石英砂中进行微波烧结即可得到颗粒状碳化硅,利用碳优良的吸波性能,采用双频微波的方式,不仅能够提高更容易控制碳化硅生长的形貌,实现了SiC晶体的快速合成,得到结晶良好的碳化硅颗粒,提高了制备效率;该方法工艺简单,操作简便,生产周期短,烧结温度低,能耗低,污染少,适合大规模化工业生产,具有广阔的应用前景。且双频微波制得的碳化硅的晶体结晶度好,缺陷少,晶体产量高,颗粒大小均匀,质量更均一。
本发明中的碳的吸波性能好,在室温下就可以与微波很好的耦合,所以在微波作用下可以实现SiC晶体的合成。
本发明利用石英砂包埋坯体,石英砂的主要作用是隔绝空气。且石英砂的成分是SiO2,也避免了杂质的渗入。石英砂对前驱体包埋后,使得前驱体隔绝了空气,因此,微波烧结时,不需要利用保护气氛进行保护,石英砂即可为前驱体提供一种隔绝空气的环境,进而烧结生产碳化硅。
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