[发明专利]读写方法及存储器装置

说明书

本发明提供一种读写方法及存储器装置，所述读写方法为：对存储器装置施加读命令，读命令指向地址信息，从读命令所指向的地址信息对应的存储单元中读取待读出数据，若待读出数据发生错误，将所述读命令所指向的地址信息存储在预设存储空间的一存储位中，其中所述预设存储空间设有若干所述存储位，每一所述存储位均关联至一备用存储单元。本发明可根据地址信息是否位于预设存储空间中而选择对所述地址信息对应的存储单元执行读操作或者写操作还是对备用存储单元执行读操作或者写操作，避免数据错误或者数据丢失，大大提高了存储器装置的可靠性及延长了存储器装置的寿命。

技术领域

本发明涉及半导体存储领域，尤其涉及一种读写方法及存储器装置。

背景技术

半导体存储器是用来存储各种数据信息的记忆部件。随着电路复杂度的提升，各种形式的存储器装置在制造上或者使用过程中无可避免地容易产生不良或受损的存储单元，导致半导体存储器装置可靠度降低，寿命减少。

因此，如何提高存储器装置的可靠性及延长所述存储器装置的寿命，成为目前亟需解决的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种读写方法及存储器装置，其能够大大提高存储器装置的可靠性及延长存储器装置的寿命。

为了解决上述技术问题，本发明提供一种读写方法，对存储器装置施加读命令，所述读命令指向一地址信息，从所述读命令所指向的地址信息对应的存储单元中读取待读出数据，若所述待读出数据发生错误，将所述读命令所指向的地址信息存储在预设存储空间的一存储位中，其中所述预设存储空间设有若干所述存储位，每一所述存储位均关联至一备用存储单元。

进一步，若所述待读出数据没有发生错误，则不将所述读命令所指向的地址信息存储在所述预设存储空间的存储位中。

进一步，从所述读命令所指向的地址信息对应的存储单元中读取待读出数据的步骤还包括：从所述读命令所指向的地址信息对应的存储单元中读取与所述待读出数据对应的第一ECC编码；判断所述待读出数据是否发生错误的方法包括：对所述第一ECC编码进行解码，以判断所述待读出数据是否发生错误。

进一步，对所述存储器装置施加写命令，并将所述写命令所指向的地址信息与存储在所述预设存储空间内的地址信息进行比较，若所述写命令所指向的地址信息与存储在所述预设存储空间内的地址信息不相同，则对所述写命令所指向的地址信息对应的存储单元执行写操作，若所述写命令所指向的地址信息与存储在所述预设存储空间内的地址信息相同，则停止对所述写命令所指向的地址信息对应的存储单元执行写操作，并对存储在预设存储空间内的所述地址信息所在的存储位对应的备用存储单元执行写操作。

进一步，对所述写命令所指向的地址信息对应的存储单元执行写操作的步骤进一步包括：形成与所述写操作中待写入数据对应的第二ECC编码，并将其与所述待写入数据一并写入所述写命令所指向的地址信息对应的存储单元中。

进一步，在所述对存储器装置施加读命令之后，在所述从所述读命令所指向的地址信息对应的存储单元中读取待读出数据之前，还包括：将所述读命令所指向的地址信息与存储在所述预设存储空间内的地址信息进行比较，若所述读命令所指向的地址信息与存储在所述预设存储空间内的地址信息不相同，则对所述读命令所指向的地址信息对应的存储单元执行读操作。

进一步，若所述读命令所指向的地址信息与存储在所述预设存储空间内的地址信息相同，则停止对所述读命令所指向的地址信息对应的存储单元执行读操作，并对存储在所述预设存储空间中的所述地址信息所在的存储位对应的备用存储单元执行读操作。

进一步，在所述待读出数据发生错误的情况下，若对所述待读出数据进行修正，则将修正后的数据存储在备用存储单元中；若未对所述待读出数据进行修正，则将所述待读出数据存储在备用存储单元中。