[发明专利]微纳米尺寸图形化薄膜阵列的介电测试系统及方法

权利要求书

1.一种用于微纳米尺寸图形化薄膜阵列的介电测试系统，其特征在于，包括：

用于测试介电性能的测试单元（1）；

绝缘的样品台（3），所述样品台（3）上设有第一样品台电极（32）和第二样品台电极（31）；所述第一样品台电极（32）和第二样品台电极（31）分别与所述测试单元（1）电连接；

相对平行设置的第一电极（21）和第二电极（22），所述第一电极（21）的微粗糙度RMS小于1 nm；所述第一电极（21）与所述第一样品台电极（32）电连接，所述第二电极（22）与所述第二样品台电极（31）电连接；所述第一电极（21）和第二电极（22）之间用于夹设微纳米尺寸图形化薄膜阵列（6）；

绝缘的测试夹具（5），其位于所述样品台（3）上，所述测试夹具（5）开设有用于放置所述第一电极（21）、第二电极（22）和微纳米尺寸图形化薄膜阵列（6）的样品槽（50），所述测试夹具（5）可拆卸连接有绝缘的紧固单元（52），所述紧固单元（52）的一端位于所述样品槽（50）内且用于对所述第一电极（21）加压以使得所述第一电极（21）、微纳米尺寸图形化薄膜阵列（6）和第二电极（22）两两之间紧密接触。

2.根据权利要求1所述的介电测试系统，其特征在于：所述第一电极（21）设置于第一电极板（20）上，所述第一电极板（20）为绝缘材质，所述第一电极板（20）的微粗糙度RMS小于0.5nm。

3.根据权利要求2所述的介电测试系统，其特征在于：所述测试夹具（5）上设有螺纹通孔（51），所述紧固单元（52）贯穿于所述螺纹通孔（51）中，且所述紧固单元（52）位于所述样品槽（50）内的一端与所述第一电极板（20）紧密接触。

4.根据权利要求1所述的介电测试系统，其特征在于：所述紧固单元（52）为螺栓。

5.根据权利要求1所述的介电测试系统，其特征在于：所述第一电极（21）和第二电极（22）的一部分分别位于所述样品槽（50）外，所述第一电极（21）和第二电极（22）位于所述样品槽（50）外的一部分分别与第一样品台电极（32）和第二样品台电极（31）电连接。

6.根据权利要求1所述的介电测试系统，其特征在于：所述微纳米尺寸图形化薄膜阵列（6）包括导电衬底以及位于所述导电衬底上的若干间隔分布的阵列单元，所述微纳米尺寸图形化薄膜阵列（6）的厚度为5纳米至20微米，所述阵列单元的直径大于5纳米。

7.根据权利要求1所述的介电测试系统，其特征在于：所述第一电极（21）和第二电极（22）均通过导电金属丝（4）分别与所述第一样品台电极（32）和第二样品台电极（31）电连接；所述导电金属丝（4）的直径为10微米以上。

8.权利要求1-7中任一项所述的介电测试系统在测试微纳米尺寸图形化薄膜阵列的介电性能中的应用。

9.一种测试微纳米尺寸图形化薄膜阵列的介电性能的方法，其特征在于，采用权利要求1-7中任一项所述的介电测试系统，包括以下步骤：

在所述测试夹具（5）的样品槽（50）内放置夹设有所述微纳米尺寸图形化薄膜阵列（6）的第一电极（21）和第二电极（22），然后利用所述紧固单元（52）对所述第一电极（21）加压以使得所述第一电极（21）、微纳米尺寸图形化薄膜阵列（6）和第二电极（22）两两之间紧密接触；并将所述测试夹具（5）放置于所述样品台（3）上；

将所述样品台（3）上的第一样品台电极（32）的两处分别与所述第一电极（21）和测试单元（1）的一端电连接，将所述样品台（3）上的第二样品台电极（31）的两处分别与所述第二电极（22）和测试单元（1）的另一端电连接；并利用测试单元（1）测试所述微纳米尺寸图形化薄膜阵列（6）的介电性能。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：所述第一电极（21）和第二电极（22）的一部分分别位于所述样品槽（50）外，所述第一电极（21）和第二电极（22）位于所述样品槽（50）外的一部分分别与第一样品台电极（32）和第二样品台电极（31）电连接。