[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供第一基底，所述第一基底包括第一芯片区，所述第一芯片区包括第一区和第二区，所述第一基底具有相对的第一面和第二面；

在所述第一区的第一面上形成第一功能单元；

在所述第二区的第一面上形成可剥离模块，且所述可剥离模块的侧面以及背向所述第一面的表面，形成包围所述可剥离模块的可剥离膜；

提供第二基底，所述第二基底包括第二芯片区，所述第二芯片区内具有第二功能单元；

在形成所述可剥离模块之后，将所述第一基底的第一面朝向所述第二基底表面键合，在垂直于所述第一面的方向上，所述第一芯片区与第二芯片区重叠，并且，所述第一功能单元的电路与第二功能单元的电路电互连；

在将所述第一基底的第一面朝向所述第二基底表面键合后，去除所述第一基底以暴露出所述可剥离模块。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在去除所述第一基底后，去除所述可剥离模块及可剥离膜，以形成第一开口。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述可剥离膜的工艺包括湿法刻蚀工艺。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述可剥离模块的方法包括：在去除所述可剥离膜后，或者去除所述可剥离膜的同时，采用若干个吸盘吸附在所述可剥离模块的表面，并拉拔所述若干个吸盘，以去除所述可剥离模块。

5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述可剥离模块的方法包括：采用若干个吸盘吸附在所述可剥离模块的表面，并拉拔所述若干个吸盘，以去除所述可剥离模块。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除可剥离膜的方法包括：在去除可剥离模块后，刻蚀所述可剥离膜，直至去除所述可剥离膜。

7.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第一开口内形成第五介质层，以及位于所述第五介质层内的第四金属互连层，所述第四金属互连层与所述第二功能单元的电路电互连，所述第五介质层表面暴露出所述第四金属互连层。

8.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述第一开口后，提供第三芯片；将所述第三芯片嵌入所述第一开口；将所述第三芯片嵌入所述第一开口后，将所述第三芯片与所述第二基底键合，所述第三芯片的电路与所述第二功能单元的电路电互连。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二功能单元的电路包括第二功能电路及第二金属互连层，所述第二功能电路与所述第二金属互连层电互连，并且，所述第二基底表面暴露出所述第二金属互连层表面。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三芯片内具有第三功能电路和第三金属互连层，所述第三功能电路与所述第三金属互连层电互连，所述第三芯片表面暴露出所述第三金属互连层；将所述第三芯片与所述第二基底键合的方法包括：在去除所述可剥离模块和可剥离膜之后，所述第二面暴露出所述第二金属互连层表面；将所述第二金属互连层与所述第三金属互连层键合。

11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：将所述第三芯片与所述第二基底键合后，在所述第三芯片内形成第一导电插塞，所述第一导电插塞与第二金属互连层电互连，并且所述第一导电插塞与所述第三芯片内的电路电互连。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：去除所述第一基底后，形成贯穿所述可剥离模块及可剥离膜的第二导电插塞，所述第二导电插塞与所述可剥离模块的电路电互连，并且所述第二导电插塞与所述第二功能单元的电路电互连。