[发明专利]阶梯型混合栅p-GaN氮化镓基晶体管结构及制作方法在审
申请号: | 202010252675.0 | 申请日: | 2020-04-01 |
公开(公告)号: | CN111415980A | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 王晓亮;牛迪;王权;李巍;肖红领;冯春;姜丽娟;王茜;刘宏新 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/423;H01L21/335;H01L29/778 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴梦圆 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阶梯 混合 gan 氮化 晶体管 结构 制作方法 | ||
1.一种阶梯型混合栅p-GaN氮化镓基晶体管结构,其中,自下而上顺次包括:衬底、成核层、高阻层、高迁移率层和势垒层;还包括:
p型GaN帽层、源极和漏极,分别制作在所述势垒层上面;
绝缘介质层,分别制作在所述势垒层和所述p型GaN帽层上;制作在所述势垒层上的所述绝缘介质层位于所述p型GaN帽层、所述源极和所述漏极间;在所述p型GaN帽层上制作至少两个高度不同的所述绝缘介质层;
栅极,制作在所述p型GaN帽层和制作在所述p型GaN帽层上的所述绝缘介质层上面。
2.根据权利要求1所述的阶梯型混合栅p-GaN氮化镓基晶体管结构,其中,所述p型GaN帽层上的所述绝缘介质层的高度范围为1nm~500nm。
3.根据权利要求1所述的阶梯型混合栅p-GaN氮化镓基晶体管结构,其中,所述p型GaN帽层上的所述绝缘介质层的长度范围为1nm~10000nm。
4.根据权利要求1所述的阶梯型混合栅p-GaN氮化镓基晶体管结构,其中,所述绝缘介质层材料为SiN、SiO2、Al2O3和HfO2中一种或多种。
5.根据权利要求1所述的阶梯型混合栅p-GaN氮化镓基晶体管结构,其中,所述成核层、所述高阻层、所述高迁移率层和所述势垒层的材料为AlGaN、InGaN、InAlN、GaN、AlN、InN中一种或多种,所述成核层、所述高阻层、所述高迁移率层和所述势垒层的厚度范围为1nm~500nm。
6.根据权利要求1所述的阶梯型混合栅p-GaN氮化镓基晶体管结构,其中,所述p型GaN帽层中的杂质为镁、钙或受主杂质中一种或多种,所述p型GaN帽层中的杂质的掺杂浓度为1016cm-3~1020cm-3。
7.一种阶梯型混合栅p-GaN氮化镓基晶体管结构的制作方法,其中,包括:
自下而上顺次生长衬底、成核层、高阻层、高迁移率层和势垒层;
在势垒层上生长p型GaN帽层;
采用刻蚀的方法,将待制备的栅极对应的下方区域以外的p型GaN帽层刻蚀掉;
在势垒层上分别制备欧姆接触源极和欧姆接触漏极;
在势垒层和p型GaN帽层上生长一层绝缘介质层;
采用刻蚀的方法,多次选区刻蚀待制备栅极对应的下方区域的绝缘介质层,在绝缘介质层上形成阶梯型;
在具有阶梯型的绝缘介质层上制备栅极。
8.根据权利要求7所述的阶梯型混合栅p-GaN氮化镓基晶体管结构的制作方法,其中,在具有阶梯型的绝缘介质层上制备栅极后还包括,采用刻蚀的方法,刻蚀源极和漏极上方的绝缘介质层。
9.根据权利要求7所述的阶梯型混合栅p-GaN氮化镓基晶体管结构的制作方法,其中,源极、漏极和栅极的制备方法包括溅射、蒸发和电镀中一种或多种。
10.根据权利要求7所述的阶梯型混合栅p-GaN氮化镓基晶体管结构的制作方法,其中,所述自下而上顺次生长衬底、成核层、高阻层、高迁移率层和势垒层包括:
选择一衬底;
在衬底上生长成核层;
在成核层上生长高阻层;
在高阻层上生长高迁移率层;
在高迁移率层上生长势垒层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010252675.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:无线充电方法及电子设备
- 下一篇:一种基于互联网的多功能热饮售卖机
- 同类专利
- 专利分类