[发明专利]一种自调Q激光晶体及其应用

权利要求书

1.一种自调Q激光晶体，其特征在于，其化学式为Na₃La_9-xRE_xB₈O₂₇，其中， 0x9， RE为Pr³⁺、 Nd³⁺、 Sm³⁺, Dy³⁺、Ho³⁺、 Er³⁺、 Tm³⁺ 及Yb³⁺稀土离子中的一种或两种。

2.如权利要求1所述的一种自调Q激光晶体，其特征在于，该自调Q激光晶体属D_3h-点群，其线性电光系数矩阵为，只有一个电光系数，且该电光系数=2.3pm/V。

3.一种如权利要求1所述的自调Q激光晶体的应用，其特征在于，用于制作自调Q脉冲激光器件，所述的调Q为电光调制或电光Q开关。

4.按权利要求3所述的自调Q激光晶体的应用，其特征在于，其用于制作自调Q激光器件时，沿该自调Q激光晶体物理学X方向、物理学Y方向或物理学Z方向切割晶体；

所述自调Q激光晶体的物理学Z方向尺寸定义为长度l；所述自调Q激光晶体的物理学X方向或物理学Y方向定义为厚度d；

所述自调Q激光晶体的物理学X方向或物理学Y方向镀有金属导电膜，并在物理学X方向或物理学Y方向加电场。