[发明专利]电流源电路有效

专利信息
申请号: 202010253121.2 申请日: 2020-04-02
公开(公告)号: CN111506143B 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 邵博闻 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 罗雅文
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电流 电路
【说明书】:

本申请公开了一种电流源电路,涉及集成电路领域。该电流源电路包括主体电路、启动电路和大电流限制电路;所述主体电路由2个PMOS管和2个NMOS管构成,所述启动电路由2个PMOS管构成,所述主体电路与所述启动电路连接;所述大电流限制电路连接电源电压,所述大电流限制电路与所述启动电路连接,所述大电流限制电路用于在所述电源电压的上跳幅度大于所述启动电路中PMOS管的阈值电压时,限制电流源电路的基础电流变化幅度;解决了现有的电流源电路在电源电压跳变幅度较大时,电流源电路的基础电流上跳幅度大的问题;达到了在电源电压异常跳变时稳定电流源电路输出的效果。

技术领域

本申请涉及集成电路领域,具体涉及一种电流源电路。

背景技术

模拟集成电路中广泛使用各种电流源,电流源为电路中的其他模块提供偏置电流,为了保证电路正常工作,电流源需要提供不随电源电压变化的源电流。

图1提供了一种传统的电流源电路,第一PMOS管MP1的栅极与第二PMOS管MP2的栅极连接,第一NMOS管MN1的栅极与第二NMOS管MN2的栅极连接,第二PMOS管的栅极和漏极连接,第一NMOS管的栅极与漏极连接,第一PMOS管与第一NMOS管连接,第二PMOS管与第二NMOS管连接,第二PMOOS管的漏极与第三PMOS管的栅极连接,第三PMOS管的漏极与第四PMOS管的栅极、电容C分别连接,第四PMOS管的漏极与第一NMOS管的栅极连接,第四PMOS管的源极连接电源电压VDD。

在图1中,当电源电压稳定在正常值时,第三PMOS管MP3的漏极电流较小,第四PMOS管MP4关断;当电源电压突然上跳时,且电源电压上跳幅度较大,变化幅度超过第四PMOS管的阈值电压时,第三PMOS管MP3的漏电流增大,与第三PMOS管MP3漏极连接的电容C来不及充电,第四PMOS管MP4导通,第四PMOS管MP4的漏电流上升,导致与第四PMOS管MP4漏极连接的第一NMOS管MN1和第二NMOS管MN2的电流增大,进而电流源电路的整体电流发生跳变,影响其他模块的正常工作。

发明内容

为了解决相关技术中的问题,本申请提供了一种电流源电路。该技术方案如下:

一方面,本申请实施例提供了一种电流源电路,包括主体电路、启动电路和大电流限制电路;

主体电路由2个PMOS管和2个NMOS管构成,启动电路由2个PMOS管构成,主体电路与启动电路连接;

大电流限制电路连接电源电压,大电流限制电路与启动电路连接,大电流限制电路用于在电源电压的上跳幅度大于启动电路中PMOS管的阈值电压时,限制电流源电路的基础电流变化幅度。

可选的,主体电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管,第一PMOS管与第二PMOS管连接电源电压,第一PMOS管和第二PMOS管构成第一电流镜,第一NMOS管和第二NMOS管构成第二电流镜,第一PMOS管与第一NMOS管连接,第二PMOS管与第二NMOS管连接,第一NMOS管和第二NMOS管分别接地;

启动电路包括第三PMOS管和第四PMOS管,第三PMOS管连接电源电压,第三PMOS管的栅极与启动电路中第二PMOS管的漏极连接,第三PMOS管与第四PMOS管的栅极连接,第四PMOS管的漏极与启动电路中第一NMOS管的栅极连接,第四PMOS管的栅极通过电容接地;

大电流限制电路包括第五PMOS管和第三NMOS管,第五PMOS管的漏极与启动电路中第四PMOS管的源极连接,第五PMOS管的源极与电源电压连接,第五PMOS管的漏极与第三NMOS管的栅极连接,第五PMOS管的栅极与第三NMOS管的漏极连接,第三PMOS管的源极接地。

可选的,大电流限制电路用于在电源电压上跳幅度大于启动电路中第四PMOS管的阈值电压时,限制第四PMOS管的漏电流。

可选的,在主体电路中,第一PMOS管的源极和第二PMOS管的源极分别连接电源电压;

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