[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括接触区和非接触区；

在所述基底上形成过渡层；

对接触区上的所述过渡层进行改性处理，使接触区上过渡层的材料致密度小于非接触区上过渡层的材料致密度；

进行改性处理之后，在所述过渡层上形成层间介质层，所述层间介质层中具有开口，所述开口暴露出接触区上的所述过渡层；

采用湿法刻蚀工艺刻蚀去除所述开口底部的所述过渡层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述改性处理包括等离子体处理工艺。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述等离子体处理工艺所采用的处理气体，包括C₄F₈、CF₄、CH₄、N₂、He和Ar中的任意一种或者几种的组合。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺所采用的化学溶液为氢氟酸、磷酸或者硝酸。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述湿法刻蚀工艺中，对接触区上的过渡层与对所述非接触区上的过渡层的刻蚀选择速率比大于或等于3：1。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述基底包括衬底和位于衬底上的底层介质层，所述底层介质层中具有金属层；

形成所述过渡层之后，所述过渡层位于所述金属层和底层介质层上；所述开口位于部分金属层上；

采用湿法刻蚀工艺刻蚀去除所述开口底部的所述过渡层，直至暴露出所述金属层的表面。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料包括铜。

8.根据权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺对过渡层与金属层的刻蚀选择速率比大于或等于5：1。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述过渡层的材料包括SiO、SiOC、SiC、TiO₂、AlO、SiN、HfO₂或多晶硅。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述层间介质层由低介电常数材料制成。