[发明专利]一种多层石墨烯改性半导电屏蔽料及其制备方法

权利要求书

1.一种多层石墨烯改性半导电屏蔽料，其特征在于，其配方按照重量份数计包括：

50～60份EVA树脂、

10～20份聚乙烯，

15～20份导电炭黑，

2～5份多层石墨烯、

0.4～1份偶联剂，

0.2～0.4份金属钝化剂、

0.2～0.4份耐高温抗氧剂，

1～2份耐高温润滑剂，

1.5～2份交联剂。

其中，所述EVA树脂的VA含量在24～30％；所述聚乙烯的熔指为1.8～2.2g/10min；所述导电炭黑过45μm筛的余量浓度不超过40ppm；所述偶联剂为多官能团硅烷偶联剂。

2.根据权利要求1所述的屏蔽料，其特征在于，所述乙烯醋酸乙烯共聚物的VA含量为26～28％。

3.根据权利要求1所述的屏蔽料，其特征在于，所述多官能团硅烷偶联剂为γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、N-[3-(三甲氧基硅基)丙基]乙二胺的一种或组合。

4.根据权利要求1所述的屏蔽料，其特征在于，所述金属钝化剂为N，N’-双[β-(3，5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酰]肼。

5.根据权利要求1所述的屏蔽料，其特征在于，所述耐高温抗氧剂为4,4'-硫代双(6-叔丁基-3-甲基苯酚)；所述耐高温润滑剂为分子量3000-5000的耐高温聚乙烯蜡。

6.根据权利要求1所述的屏蔽料，其特征在于，所述交联剂为过氧化二异丙苯、三烯丙基异氰脲酸酯的一种或组合。

7.根据权利要求6所述的屏蔽料，其特征在于，所述交联剂为过氧化二异丙苯和三烯丙基异氰脲酸酯按照质量比为2:1的组合物。

8.多层石墨烯改性半导电屏蔽料的制备方法，其特征在于，采用权利要求1～7任一所述的屏蔽料的配方，包括以下步骤

1)将除交联剂以外的原料按比例加入到密炼机中密炼；

2)将步骤1)所得产物经挤出机挤出制得所述屏蔽料，挤出过程中按比例加入交联剂。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中密炼工艺为140～150℃密炼15～20分钟；步骤2)中采用双阶式挤出机挤出，挤出温度从下料段到机头温度设置依次为：135～145℃、145～155℃、155～165℃、165～175℃、160～170℃；所述交联剂为液体，通过液体注射枪加入。