[发明专利]集成多尔蒂放大器在审
| 申请号： | 202010254148.3 | 申请日： | 2020-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN111800093A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 安德雷·格列别尼科夫 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F1/07 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成 多尔蒂 放大器 | ||
1.一种包含载波放大器和峰值放大器的多尔蒂放大器，包括：
输入分路器，所述输入分路器将输入射频(RF)信号均匀地分配到所述载波放大器和所述峰值放大器；
放大单元，所述放大单元包含被设置在半导体芯片上的所述载波放大器和所述峰值放大器；
偏移单元，所述偏移单元包含各自与所述载波放大器和所述峰值放大器连接的偏移传输线；以及
输出组合器，所述输出组合器组合各自通过所述偏移传输线提供的所述载波放大器和所述峰值放大器的输出，
其中，所述输出组合器和所述偏移单元被设置在电介质基底上。
2.根据权利要求1所述的包含载波放大器和峰值放大器的多尔蒂放大器，
其中，所述输入分路器被设置在另一个半导体芯片上。
3.根据权利要求1或2所述的包含载波放大器和峰值放大器的多尔蒂放大器，
其中，通过每个导线接合，所述偏移单元的所述偏移传输线的一端与所述载波放大器连接，并且所述偏移单元的所述偏移传输线的另一端与所述峰值放大器连接。
4.如权利要求3所述的包含载波放大器和峰值放大器的多尔蒂放大器，
其中，所述偏移单元的所述偏移传输线的一端与所述输出组合器的一端连接。
5.如权利要求1至4中的任一项所述的包含载波放大器和峰值放大器的多尔蒂放大器，
其中，所述偏移单元包括与所述偏移传输线的两端均连接的两个相等的接地电容器。
6.如权利要求1至5中的任一项所述的包含载波放大器和峰值放大器的多尔蒂放大器，
其中，所述传输线包括微带线。
7.如权利要求1至6中的任一项所述的包含载波放大器和峰值放大器的多尔蒂放大器，
其中，所述输入分路器包括集成无源器件(IPD)的导电特征。
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