[发明专利]自适应电极壁面微纳凹坑微气泡发生装置及其制作方法

权利要求书

1.自适应微纳电极壁面凹坑微气泡发生装置，其特征在于：包括基体和直流电源，所述基体的表面设有微纳电极壁面凹坑，微纳电极壁面凹坑的壁面和基体的上表面均设有溅射金属层，基体的上表面的溅射金属层上覆盖有光刻胶，微纳电极壁面凹坑的壁面和基体的上表面的溅射金属层作为微气泡发生装置的负电极，其通过电源导线连接直流电源的负极。

2.如权利要求1所述的自适应微纳电极壁面凹坑微气泡发生装置，其特征在于：所述基体采用有机玻璃材料或硅片。

3.如权利要求1所述的自适应微纳电极壁面凹坑微气泡发生装置，其特征在于：所述微纳电极壁面凹坑呈圆柱形设置。

4.如权利要求3所述的自适应微纳电极壁面凹坑微气泡发生装置，其特征在于：所述微纳电极壁面凹坑的直径为40~100μm，深度为20~150μm。

5.如权利要求1所述的自适应微纳电极壁面凹坑微气泡发生装置，其特征在于：所述微纳电极壁面凹坑呈均布设置。

6.如权利要求1所述的自适应微纳电极壁面凹坑微气泡发生装置，其特征在于：所述溅射金属层的金属采用金。

7.如权利要求1所述的自适应微纳电极壁面凹坑微气泡发生装置，其特征在于：所述光刻胶的厚度为5~10μm。

8.如权利要求1所述的自适应微纳电极壁面凹坑微气泡发生装置，其特征在于：所述溅射金属层和电源导线连接处覆盖一层500nm厚度的绝缘层。

9.自适应微纳电极壁面凹坑微气泡发生装置的制作方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤1）制作微纳电极壁面凹坑：在基体的上表面使用激光打孔形成微纳电极壁面凹坑；

步骤2）表面有机清洗：采用有机清洗剂对微纳电极壁面凹坑及基体表面进行清洗；

步骤3）制作溅射金属层：采用金属溅射，在微纳电极壁面凹坑内及基体表面溅射金属，使得基体上表面及微纳电极壁面凹坑内布满金属，微纳电极壁面凹坑的壁面和基体的上表面的溅射金属层作为微气泡发生装置电解时的负电极；

步骤4）光刻：先在基体的上表面喷上光刻胶，然后采用掩模板遮盖住基体的上表面，露出覆盖在微纳电极壁面凹坑上的光刻胶，通过紫外线进行曝光，除去微纳电极壁面凹坑表面的光刻胶；

步骤5）导线连接：将电源导线连接溅射金属层和直流电源的负极。