[发明专利]一种基于混合多谐振结构的低温共烧陶瓷工艺封装天线

权利要求书

1.一种基于混合多谐振结构的低温共烧陶瓷工艺封装天线，其特征在于，包括在XY平面上周期排列的天线单元，所述天线单元包括顺序层叠排布的寄生基板层、主辐射基板层以及带状线功分基板层，所述寄生基板层的上端面设有第一金属层，所述寄生基板层的下端面与主辐射基板层的上端面之间设置第二金属层；主辐射基板层的下端面与带状线功分基板层的上端面之间设置第三金属层作为天线参考地，带状线功分基板层的中部设置第四金属层作为带状线功分器屏蔽地，第四金属层设置有带状线功分器；带状线功分基板层的下端面设置第五金属层作为带状线功分器下参考地，带状线功分基板层内位于第三金属层和第五金属层间且穿过第四金属层设置若干功分短路谐振柱，若干功分短路谐振柱围成封闭环路；带状线功分基板层内第三金属层和第四金属层间设置馈电谐振柱，馈电谐振柱与带状线功分器相连；带状线功分基板层内第四金属层和第五金属层间设置功分馈电谐振柱，馈电谐振柱以及功分馈电谐振柱均位于封闭环路区域内；

所述主辐射基板层与第三金属层间设置若干根用于调节谐振点的短路谐振柱，短路谐振柱位于封闭环路区域外侧；

所述封装天线X方向的周期为最高工作波长的三分之一到二分之一；封装天线Y方向的周期为最高工作波长的三分之一到三分之二；

所述第一金属层为两对寄生谐振贴片振子，两对寄生振子形状包括且不限于领结型、三角形、矩形、椭圆形，两对寄生谐振贴片振子的尺寸用于调节天线单元的谐振点，两对寄生谐振贴片振子的距离为天线单元Y方向周期的一半，且关于单元中心对称；所述第二金属层为两对主辐射贴片振子，主辐射贴片振子形状包括且不限于领结型、三角形、矩形、椭圆形，两对主辐射贴片振子的尺寸用于调节天线单元的谐振点，两对主辐射贴片振子的距离为天线单元Y方向周期的一半，且关于单元中心对称。

2.根据权利要求1所述的一种基于混合多谐振结构的低温共烧陶瓷工艺封装天线，其特征在于，所述第四金属层中带状线功分器为T型结构，若干功分短路谐振柱围绕带状线功分器外围一圈围成T型封闭环路，T型封闭环路与带状线功分器之间的T型缝隙为带状线功分器屏蔽缝。

3.根据权利要求2所述的一种基于混合多谐振结构的低温共烧陶瓷工艺封装天线，其特征在于，所述第五金属层位于功分馈电谐振柱的外围一圈设置封装天线焊盘，位于封装天线焊盘与功分短路谐振柱围成的封闭环路之间的空隙设置环形的封装天线焊盘缝。

4.根据权利要求3所述的一种基于混合多谐振结构的低温共烧陶瓷工艺封装天线，其特征在于，所述两对主辐射贴片振子通过带状线功分基板层内的馈电谐振柱馈电，馈电谐振柱有两个，同轴对称位于T型封闭环路的末端，第三金属层中，以馈电谐振柱为圆心以若干功分短路谐振柱为边界围成的圆弧间隙为天线参考地馈电缝隙，两对天线参考地馈电缝隙的距离为天线单元Y方向周期的一半且关于天线单元中心对称；馈电谐振柱穿过第三金属层与第四金属层与带状线功分器相连，若干个功分短路谐振柱依次贯穿第三金属层、第四金属层以及第五金属层且包围带状线功分器呈T型封闭环路，带状线功分器再通过第四金属层和第五金属层间的功分馈电谐振柱与第五金属层的封装天线焊盘相连。

5.根据权利要求1所述的一种基于混合多谐振结构的低温共烧陶瓷工艺封装天线，其特征在于，所述寄生基板层、主辐射基板层、带状线功分基板层均包括若干层低温共烧陶瓷基板，每层低温共烧陶瓷基板与相邻层低温共烧陶瓷基板通过烧结相连。

6.根据权利要求1所述的一种基于混合多谐振结构的低温共烧陶瓷工艺封装天线，其特征在于，所述寄生基板层、主辐射基板层、带状线功分基板层的材料为Ferro A6M、Dupont9K7或者Dupont 951中的任一种。

7.根据权利要求1所述的一种基于混合多谐振结构的低温共烧陶瓷工艺封装天线，其特征在于，所述第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、第五金属层、馈电谐振柱、功分短路谐振柱、功分馈电谐振柱的材料为金、银或铜中的任一种。