[发明专利]像素阵列基板有效

专利信息
申请号: 202010254786.5 申请日: 2020-04-02
公开(公告)号: CN111338141B 公开(公告)日: 2022-11-22
发明(设计)人: 林弘哲;李珉泽;陈奕仁;钟岳宏;何升儒;王彦凯;徐雅玲;廖干煌;廖烝贤 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京市立康律师事务所 11805 代理人: 梁挥;孟超
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 像素 阵列
【权利要求书】:

1.一种像素阵列基板,其特征在于,包括:

一基板;

多个像素结构,设置于该基板上,其中每一该像素结构包括一数据线、一栅极线、一主动元件及一像素电极,该主动元件电性连接至该数据线及该栅极线,该像素电极电性连接至该主动元件,该像素电极定义多个配向区,且该些配向区具有不同的多个配向方向;以及

多条转接线,其中该些转接线在一第一方向上排列,该些像素结构的多条栅极线在一第二方向上排列,该第一方向与该第二方向交错,且该些转接线电性连接至该些栅极线;

该些像素结构包括一第一像素结构,该些转接线包括一第一转接线,且该第一转接线与该第一像素结构的该些配向区的交界重叠;

每一该像素结构更包括一导电图案,该导电图案与该像素电极部分地重叠,该导电图案的至少一部分为一共用电极,且该像素阵列基板更包括:

一修补线,设置于该基板上,且与该共用电极于结构上分离,其中该些像素结构更包括一第二像素结构,且该修补线与该第二像素结构的该些配向区的交界重叠。

2.如权利要求1所述的像素阵列基板,其特征在于,每一该像素结构的该像素电极具有一第一主干部及多个分支部,该第一主干部在该第二方向上延伸;该些分支部分别位于该第一主干部的相对两侧且朝不同的方向延伸;该第一转接线与该第一像素结构的该像素电极的该第一主干部重叠。

3.如权利要求1所述的像素阵列基板,其特征在于,每一该像素结构的该像素电极具有一第一主干部及多个分支部,该第一主干部在该第二方向上延伸;该些分支部分别位于该第一主干部的相对两侧且朝不同的方向延伸;该修补线与该第二像素结构的该像素电极的该第一主干部重叠。

4.如权利要求1所述的像素阵列基板,其特征在于,每一该像素结构的该导电图案具有在该第一方向上延伸的一第一部及在该第二方向上延伸的至少一第二部;该第二像素结构的该导电图案的该第一部与该修补线交错。

5.如权利要求4所述的像素阵列基板,其特征在于,每一该像素结构的该像素电极具有相交叉的一第一主干部及一第二主干部;该第二像素结构的该导电图案的该第一部与该修补线的交错处和该第二像素结构的该第一主干部与该第二主干部的交叉处重叠。

6.如权利要求4所述的像素阵列基板,其特征在于,该些像素结构更包括一第三像素结构,该第一像素结构及该第二像素结构在该第一方向上排列,该第二像素结构及该第三像素结构在该第二方向上排列;该第二像素结构的该导电图案的该第一部与该至少一第二部具有至少一断开处,该第二像素结构的该导电图案的该第一部与该修补线具有一连接点,该第三像素结构的该导电图案的该第一部与该至少一第二部具有至少一断开处,且该第三像素结构的该导电图案的该第一部与该修补线具有一连接点。

7.如权利要求6所述的像素阵列基板,其特征在于,该些像素结构更包括一第四像素结构,该第一像素结构与该第四像素结构在该第二方向上排列,该第三像素结构及该第四像素结构在该第一方向上排列;该第四像素结构的该数据线具有一开口,该第四像素结构的该数据线被该开口分为一第一部分及一第二部分;该第一像素结构的该导电图案的该第一部与该至少一第二部具有至少一断开处;该第四像素结构的该数据线的该第一部分与该第一像素结构的该导电图案的该第一部具有一连接点;该第一像素结构的该导电图案的该第一部与该第二像素结构的该导电图案的该第一部电性连接;该第三像素结构的该导电图案的该第一部与该第四像素结构的该导电图案的该第一部电性连接;该第四像素结构的该导电图案的该第一部与该至少一第二部具有至少一断开处,且该第四像素结构的该数据线的该第二部分与该第四像素结构的该导电图案的该第一部具有一连接点。

8.如权利要求6所述的像素阵列基板,其特征在于,该第三像素结构的该数据线具有一开口,该第三像素结构的该数据线被该开口分为一第一部分及一第二部分;该第三像素结构的该数据线的该第一部分与该第二像素结构的该导电图案的该第一部具有一连接点,且该第三像素结构的该数据线的该第二部分与该第三像素结构的该导电图案的该第一部具有一连接点。

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